ригера і в режимі утримання ключа у відкритому стані має значення, що відрізняється від позитивного напруги живлення мікросхеми Е = +10 В на величину ~ (1ч2) В. Приймаються вихідна напруга тригера в початковому стані рівним U + вих = 8 В, тоді для найпростішого ГЛИН з інтегруючої ланцюгом при великій мірі насичення ключового транзистора справедливо
. (1.12)
Даний номінал опору R5 задовольняє умові навантаження ОУ, на основі якого побудований тригер управління, а саме опір навантаження ОУ не менше 2 кОм.
Розрахуємо параметри транзистора VT1.
Для колекторного живлення транзистора VT1 вибираємо одну з напруг харчування операційного підсилювача, тобто приймаємо E = +10 В. Тоді струм насичення VT1 буде дорівнює
. (1.13)
Струм бази насичення
, (1.14)
. (1.15)
Розрахунок замикаючих напружень:
, (1.16)
. (1.17)
Розрахунок основних параметрів транзистора
, (1.18)
, (1.19)
, (1.20)
, (1.21)
, (1.22)
, (1.23)
, (1.24)
, (1.25)
, (1.26)
, (1.27)
Rг = R вих ОУ = 100 Ом
(1.28)
, (1.29)
, (1.30)
, (1.31)
. (1.32)
Обчислимо tВКЛ:
. (1.33)
, (1.34)
. (1.35)
Обчислимо t викл :
. (1.36)
Обчислимо час затримки спрацьовування
. (1.37)
Результати обчислень основних характеристик пилоподібного напруги представлені в таблиці 1.
Таблиця 1 - Характеристики пилоподібного напруги
ДіапазонЕмкость 0,5 мкс/дел53 пФ59, 90,132,51 нс.1 мкс/дел107 пФ59, 90,125,01 нс.2 мкс/дел215 пФ59, 90,1210 , 00 нс.5 мкс/дел532 пФ59, 90,1325,07 нс.10 мкс/дел1, 1 нФ4, 89,70,1250,03 нс.20 мкс/дел2, 1 нФ59, 90,130,10 мкс50 мкс/дел5, 32 нФ59, 90,130,25 мкс0, 1 мс/дел11 нФ4, 89,70,120,50 мкс0, 2 мс/дел21, 2 нФ59, 90,131,00 мкс0, 5 мс/дел53, 2 нФ59, 90,132,51 мкс
Для забезпечення перекривання діапазонів, передбачений змінний резистор R3 , номінал якого становить 15 кОм, при цьому плавне регулювання становить В± 10%.
Ємність буде розряджатися до 0,3 В (падіння напруги на прямо зміщеному pn - переході германиевого діода), що дасть на виході схеми постійний рівень 0,6 В...
