Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Новые рефераты » Особливості проектування підсилювача слабких сигналів

Реферат Особливості проектування підсилювача слабких сигналів





бозначеніеРазмери, ММS, мм 2 R12х0,20,4R21,7х11,7R31,9х0,40,76R42,5х0,51,25R50,5х10,5R60,5х3,41,7R70,5х1,30,65R90,5х10,5C110х880C210х880C310х880C410х880С510х880С62х24D12х24Итого:415,46

Сумарна площа становить 415,46 мм 2.

Коефіцієнт k приймемо рівним 3.

Таким чином, загальна площа буде дорівнює: ЕРЕ=3 · 415,46=1246,38 мм 2

На підставі отриманих даних вибираємо типорозмір плати ГІС.

Для даного курсового проекту була обрана плата ГІС типорозміру 4 з габаритними розмірами 30х48 мм.

Після вибору плати ГІС виробляємо вибір корпусу.

Для даного курсового проекту був обраний металоскляний корпус ПІЖМ.430114.001 виробництва ВАТ «Авангард».


Малюнок 5 - Зовнішній вигляд металоскляного корпусу 159.49-1


. Розробка топології інтегральної мікросхеми


Розробку топології інтегральної мікросхеми для даного курсового проекту виробляємо із застосуванням САПР AutoCAD і Altium Designer Summer 09. Ескіз топології інтегральної мікросхеми для даного курсового проекту представлений на малюнку 6.


Малюнок 6 - Ескіз топології інтегральної мікросхеми.7 Розрахунок теплового режиму інтегральної мікросхеми


Функціонування ІМС пов'язано з виділенням тепла різною мірою елементами і компонентами, що може призводити до небажаних і неприпустимим перегрівів. На цю обставину звертається увага на всіх стадіях проектування (рівномірний розподіл тепловиділяючих елементів і компонентів, забезпечення шляхів висновків тепла та ін.) Однак цей аналіз теплового режиму носить більше якісний характер і, безумовно, вимагає кількісної оцінки. У цьому зв'язку оцінюються найбільш нагріваються місця плати. До них відносяться резистори, активні елементи та компоненти. Конденсатори й індуктивності вносять в нагрів явно менший внесок. Плівкова комутація за малого опору і високій теплопровідності навпаки сприяє відводу тепла від найбільш нагрітих ділянок.

Вважається, що нормальний режим ІМС забезпечується, якщо температура самого важко навантаженого елемента ІМС (або компонента для ГІМС) не перевищує його максимально допустимої робочої температури.

Перегрів елемента або компонента ІМС - різниця між їх власної температурою і середньою температурою поверхні корпусу (зазвичай позначається І, ° С).

Максимально допустима температура T max доп - максимальна температура елемента або компонента ІМС, за якої забезпечуються вимоги до їх надійності.

Питома потужність розсіювання (P 0, Вт / ° С) - щільність теплового потоку від елемента ІМС, кристала або плати ІМС.

Внутрішнє тепловий опір елемента, кристала або компонента ІМС (R т. вн, ° С / Вт) - тепловий опір самого елемента (кристала, компонента) і тепловий опір контакту між елементом (компонентом) і платою ( кристалом або корпусом) з урахуванням теплового опору клейового прошарку.

Величина теплового опору істотно залежить від характеру тепловиділяючого об'єкта. Якщо джерело тепла зосереджений, то тепловий потік від нього може бути спрямованим у бік підкладки в тій чи іншій мірі. В основному це залежить від розмірів тепловиділяючого елемента. Якщ...


Назад | сторінка 5 з 7 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Технологічний процес виготовлення плати інтегральної мікросхеми-фільтра
  • Реферат на тему: Розробка інтегральної мікросхеми параметричного стабілізатора
  • Реферат на тему: Технологія та техніка виготовлення бескорпусной інтегральної мікросхеми
  • Реферат на тему: Розробка топології друкованої плати стетоскопа з використанням Altium Desig ...
  • Реферат на тему: Прикладне додаток &Розробка проекту для створення нового класу Auto і елеме ...