цієнт передачі, граничну частоту коефіцієнта передачі, максимального постійної напруги колектор-емітер і максимального струму колектора. Параметри порівнюваних транзисторів наведені в таблиці 5.
Таблиця 5 - Параметри транзисторів малої потужності високочастотних
Тип транзістораКоеффіціент передачіМаксімальное допустима напруга колектор-емітер, ВМаксімальний струм колектора, мАКТ315Б50…35045100КТ315Г50…35035100КТ361А20…902550КТ361Б50…3502050КТ3102А100...25050100КТ3102Б250…50050100
В якості транзистора VT1 схеми вибираємо тип транзистора КТ315Б; VT2, VT3, VT4 - КТ361А, як володіють найбільш прийнятними значеннями допустимої напруги колектор-емітер, необхідного коефіцієнта посилення і необхідного максимального струму колектора з порівнюваних; крім того, цей тип транзисторів найменш дорогостоящ.
Вибір цифрових інтегральних схем проводиться, порівнюючи основні параметри мікросхем серій: К564, К155 і К555. Порівняльні основні параметри наведені в таблиці 6.
Таблиця 6 - Основні електричні параметри мікросхем
СеріяНапряженіе харчування, ВТокіо споживання, мАВремя затримки, нсІнтервал робочих температур, 0СК15552215-10 ... +70 К55552215-10 ... +70 К5649 ... 150,0003250-40 ... +70
Порівнявши параметри інтегральних мікросхем, вибирається ТТЛ серія К155. Дана серія інтегральних мікросхем, забезпечуючи закладені в конструкцію функції, є найменш дорогої з порівнюваних.
ВИБІР звуковідтворювальний пристрій
Вибір звуковідтворювального пристрої для конструкції «Сирена двотональна сенсорна» виробляється на основі порівняння таких показників, як діапазон відтворюваних звукових частот, модуль електричного опору, габаритні розміри і маса.
Таблиця 7 - Основні параметри звуковідтворювальних телефонів і капсулів
ТіпДіапазон частот, ГцМодуль електричного опору, ОмГабарітние розміри, ммМаса, кгТК - 47300 ... 400013042Х140, 035ТА - 56М300 ... 300030024Х21, 50,15 ДЕМ - 4М300 ... 300060055Х300, 16ТДК - 1100 ... 500016052Х260, 115
Виходячи з порівняння параметрів окремих типів звуковідтворювальних телефонів, вибирається телефон типу ДЕМ - 4М, як володіє прийнятними технічними параметрами для розробляється конструкції.
ВИСНОВОК
У курсовому проекті розроблено пристрій «Сирена двотональна сенсорна» на сучасній елементній базі.
В ході проектування були розкриті питання, що стосуються призначення і області застосування проектованого пристрою.
В результаті огляду методів побудови аналогів проектованого пристрою, порівняння їх переваг та недоліків були сформульовані технічні умови, пропоновані до проектованого пристрою, зроблений вибір і обгрунтування структурної схеми, вироблено опис принципу її роботи.
На підставі структурної схеми була обрана схема електрична принципова проектованого пристрою. У відповідності зі схемою електричною принциповою і досягненнями сучасної радіотехніки був зроблений і обгрунтований вибір елементної бази пристрою «Сирена двотональна сенсорна»
ЛІТЕРАТУРА
