ії перемикання режимів. Акустичний вузол зібраний на ждущем генераторі і п'єзоелектричному випромінювачі.
Мікроконтролер призначений для управління і цифрової обробки даних, що приходять з детекторної камери. Також він призначений для управління зовнішньою периферією, тобто передачі даних на індикаторні пристрої приладу.
Блок індикації призначений для візуалізації результатів виміру.
Перетворювач постійної напруги призначений для підвищення напруги живлення до потрібного рівня.
Батарея задає напруга живлення пристрою.
2.1 Структурна схема пристрою
Рис. 2.1? Структурна схема пристрою для вимірювання радіаційного випромінювання
Головним елементом схеми є датчик радіації? лічильник Гейгера, за допомогою якого відбувається ідентифікація та вимірювання рівня радіаційного випромінювання. Харчується він високою напругою 400 В, яке генерує блокінг-генератор, за допомогою підвищувального трансформатора, який отримує від мікроконтролера напругу з амплітудою 5 В і підвищує його до потрібного рівня для живлення лічильника. Далі імпульс короткою тривалості надходить на одновібратор, де з нього формується імпульс прямокутної форми і потрібної тривалості, необхідної для коректної роботи мікроконтролера. Мікроконтролер? один з основних елементів схеми, так як є сполучною вузлом для інших елементів, виконує всі арифметико-логічні завдання, проводить управління зовнішньої периферією. Також мікроконтролер видає імпульси підкачки для блокінг-генератора, щодо прийшли частинок; управляє блоком індикації, генератором для акустичного випромінювача.
3.
3. РОЗРОБКА СХЕМИ ЕЛЕКТРИЧНОЇ ПРИНЦИПОВОЇ
3.1 Вибір та обгрунтування елементної бази
Зробимо обгрунтування вибору ІМС, яка буде використана в пристрої, а саме, мікросхема І-НЕ, в якій в одному корпусі знаходиться чотири елементи І-НЕ. Аналіз проведемо з трьома мікросхемами, які є аналогами один одному і повністю аналогічні за своєю функціональністю: HEF4011B, SN74HC00, MM74HC00.
Обрані для порівняння параметри мікросхем і їх значення представлені в таблиці 3.1. Вибір параметрів для порівняння проводився виходячи з їх відмінності у значеннях, тобто вибиралися параметри, значення яких відрізняються в розглянутих мікросхемах, а також, виходячи з важливості того чи іншого параметра.
Таблиця 3.1? Параметри мікросхем І-НЕ
Серії ІМСPрас, мВтVccmax, ВTmaxamb,? Сtr, tf, нсIcc, мкАHEF4011B5001812575050SN74HC00400712550040MM74HC0050078550020Весовой коеффіціент0, 350,250,150,10,15 Примітка. Pрас? потужність розсіювання; Vccmax? максимальна напруга живлення; Tmaxamb? максимальна температура навколишнього середовища; tr, tf? рівень наростання або спадання; Icc? струм живлення
Зробимо вибір оптимальної мікросхеми за допомогою методу вибору компонентів по матриці параметрів.
Якщо збільшення параметра призведе до погіршення роботи схеми, то необхідно його перерахувати за формулою:
. (3.1)
Таблиця 3.2? Наведені параметри Y
500181250...
