y">) оббирати ширину резистора=20 мкм
) визначавши коефіцієнт форми
) визначавши Довжину резистора
. 2 Розрахунок для визначення габаритних Розмірів мікросхеми
Рисунок 3.2 Габаритні креслення корпусу для напівпровідніковіх мікросхем
визначавши звіс корпусу (відстань від осі крайніх виводу до краю корпусу)
визначавши Довжину мікросхеми
де n - Кількість виводів.
визначавши відстань между рядами віводі
e 1ном=e · m e1=мм
де=3, 4, 5, 6, 7, 8, 10, 11
визначавши ширину мікросхеми
визначавши висота мікросхеми
де m a=2, 3
За розрахованімі розмірамі з табліці 8 ГОСТ 17467-79 вибираю тіпорозмір ІМС
ТіпорозмірnD макс E макс e1 ном А макс 21021419,5 мм7,5 мм7,5 мм5 мм
Умовний Позначення Вибраного корпусу
Корпус 1206.14-1 ГОСТ 17467-89
4. ТЕХНОЛОГІЧНА ЧАСТИНА
Для виготовлення вихідного каскаду мною БУВ розроблення маршрутного технологічний процес, Який складається з Наступний основних операцій: підготовчі операции (очищення підложкі, вимірювання Пітом Поверхнево опору), операции по виготовленню ізолюючіх областей для формирование елементів ІМС, виготовлення базових областей для транзісторів и резісторів, реалізованіх на базовому шарі, виготовлення емітерніх областей, виготовлення кулі контактних вікон для формирование виводів від елементів ІМС, нанесення суцільного шару алюмінію и формирование малюнку провідніків, контрольно - збіркові операции, Герметизація и фінішній контроль ІМС.
При цьом я Використана Наступний обладнання:
. Лада - 1 ЩЦМ 1.240.013 - призначе для хімічного очищення напівпровідніковіх пластин.
. Установка вимірювання Пітом опору ІУС - 3 д ЕМ 2.600.002
. Система діфузійна однозонна СДО - 125/3-15 д ЕМ 3.017.031 - призначе для комплексного проведення ізотермічніх процесів.
ВИСНОВОК
Працюючий над курсовим проектом я звертаючись усі необхідні матеріали для проектування заданої інтегральної схеми: підложку Изготовлен из кремнію монокрісталічного ГОСТ 2169-85; для реализации резісторів виконую їх в шарі бази; провідники та Контактні майданчики - термовакуумних напилених; Звертаючись конструкцію пасивних елементів, провела розрахунок їх геометричних Розмірів; підібрала активні Елементи - транзистори та діоді; розрахувала площу підложкі; розрахувала габаритні розміри корпусу и звертаючись его стандартний тіпорозмір.
Потім разработали топологію заданого пристрою. Такоже БУВ розроблення комплект конструкторської документації, Який складається з схеми електрічної прінціпової з переліком елементів, топологічного креслення головного увазі, комплекту пошаровіх креслень, складально чертежи.
Для захисту від ЗОВНІШНІХ Дії я звертаючись герметізацію ІМС: опресовки Пластмас. Крім того звертаючись метод виготовлення заданого вироби. Методи епітаксіального вирощування, дифузії, оксідування та ін.
Звертаючись необхідне технічне обладнання, оснастку, матеріали, и розроб маршрутний технологічний процес виготовлення заданого вироби.
Вважаю, что розроблено мною конструкторсько-технологічна документація дозволяти віготовіті Пристрій з оптимальними параметрами: Мінімальна вага, габарити, висока Надійність, Мінімальна ВАРТІСТЬ, и может буті Використана, як робоча документація, при промисловому віготовленні заданого пристрою.
ПЕРЕЛІК використаної літератури
1. Березін А.С., Мочалкіна О.Р.- Технологія та конструювання інтегральних схем, - М .: Радио и связь, 1983 г.
. Борисенко О.С., Бавикін Н.Т., - Технологія та обладнання для виробництва мікроелектронних пристроїв, - М .: Машинобудування, 2010.
. Ванін В.В., Бліок А.В., Гнітецька Г.О., - Оформлення конструкторської документації, - К .: Каравела, 2011.
. Коледов Л.А., - Технологія та конструкції мікросхем, мікропроцесорів і микросборок - М .: Радіо і зв'язок, +2009.
. Миколаїв І.М., Філинюк М.А., - Мікроелектронні пристрої і основи їх проектування, - М .: Енергія, 1980.
. Jaeger, Richard C. (2002). Lithography raquo ;. Intro...
