Положиста область ВАХ :
Обчислимо при зі співвідношення (1.12).
З формул (1.13), (1.14) і (1.15) знайдемо:
- товщина ОПЗ під стоком на кордоні з пологою областю,
- ефективна довжина каналу.
Струм стоку при:
Рис. 1.7 - ВАХ транзистора, розраховані при V GS=4В з урахуванням різних наближень: а - ідеальна модель, V BS=0B; б - реальна модель, V BS=0B; в - реальна модель, V BS=- 2B
Висновок : в результаті розрахунку була обчислена реальна ВАХ транзистора при напруг підкладка-витік.
. 8 Факультативне завдання: розрахунок параметрів еквівалентної схеми
Розрахуємо малосигнальний параметри еквівалентної схеми, показаної на малюнку 1.6.
Крутизна ВАХ:
(1.18)
Вихідна провідність:
(1.19)
Власний коефіцієнт посилення по напрузі:
(1.20)
Висновок : використовуючи реальну ВАХ транзистора в відсутність напруги підкладка-витік, провели розрахунок малосигнальних параметрів еквівалентної схеми МДП-транзистора.
. 9 Структура і топологія МДП-транзистора
Рис. 1.8: а - структура МДП-транзистора; б - топологія МДП-транзистора
2.10 Короткий технологічний маршрут виготовлення МДП-структур
Найбільший практичний інтерес представляє ізопланарной технологія виготовлення МДП-структур, особливістю якої є ізоляція МДП-структур товстим шаром оксиду кремнію. Застосування цієї технології дозволяє спільно формувати на одній підкладці як біполярні, так і МДП-структури. Процес поетапного формування МДП-структури:
а) на поверхні кремнієвої підкладки р-типу формують маску з нітриду кремнію, через отвори в якій впроваджують іони бору, в результаті чого формуються протівоканальние р + -області;
б) окисленням через маску створюють розділові шари діоксиду кремнію, після чого видаляють шар нітриду кремнію, потім іонним легуванням бору створюють шар з підвищеною концентрацією акцепторів, який необхідний для зниження порогового напруги;
в) формують тонкий подзатворного шар діоксиду кремнію і наносять на нього шар полікремнію (затвор);
г) іонним легуванням миш'яку формують n + -області витоку і стоку;
д) хімічним паровим осадженням наносять шар діоксиду кремнію, формують у ньому вікна, напилюють плівку алюмінію і методом фотолітографії створюють малюнок металевих провідників.
Висновки глави
У даній главі зроблено розрахунок параметрів МДП-транзистора. Зведення результатів представлена ??в таблиці 1.3.
№ПараметрРезультат1Структура досліджуваного МДП-транзістораРіс. 1.8а2Топологіческій креслення досліджуваного МДП-транзістораРіс. 1.8б3Рассчітанное порогове напруга V t0, B 4Доза подлегірованія D, см - 2 5Коеффіціент впливу підкладки До B, B 1/2 6Толщіна ОПЗ під затвором l T, мкм0.167Толщіна ОПЗ під витоком l S, мкм0.448Толщіна ОПЗ під стоком l D, мкм1.039Крутізна ВАХ g, мкА/В109710Виходная провідність G, мкОм - 1 67811Собственний коефіцієнт посилення по напрузі До 12Маршрутная карта виготовлення транзістора§1.2.1
Список літератури
1.Старосельскій В.І. Фізика напівпровідникових приладів мікроелектроніки: навч. посібник - М .: Вища освіта; Юрайт-Издат, 2009
.Тітова І.М. Методичні вказівки по виконанню курсового проекту. Навчально-методична розробка для самостійної роботи студентів за курсом Елементи твердотільної електроніки і фізики напівпровідникових приладів
.Москатов Е. А. Електронна техніка. Початок. Ростов н/Д: Фенікс, +2010
