оокісние резистори. Резистивний елемент цих резисторів виготовляють у вигляді тонкої плівки, що представляє собою мікрокомпозиціями з діелектрика (скло, кераміка, полімерні матеріали) і провідника (паладій, родій, двоокис олова та ін), плівки металу (вольфраму, хрому, танталу, титану) або сплавів металів з хромом, кремнієм, плівки окису металу (частіше всього окису олова).
Ці резистори характеризуються високою стабільністю, слабкою залежністю опору від частоти і напруги, теплостійкістю і вологостійкістю, малим рівнем шумів, невеликими розмірами, високою надійністю. Їх недоліком є ​​знижена стійкість до імпульсних навантажень, а також неможливість виготовлення високомегаомних резисторів.
На основі металлоокісние резистивного елемента виготовляють прецизійні резистори (С2-1), які можуть працювати при високих (до 200 В° C) температурах, високочастотні (МОУ, МОУ-Ш).
Металізовані резистори типу С6-1 - С6-9 застосовують для роботи в діапазоні НВЧ аж до частот 26 ГГц. Вони використовуються в аттенюатором СВЧ, у вимірювальних ланцюгах і т.д. Конструктивно виконані без висновків, за винятком резисторів типу С6-5, у яких робочий діапазон обмежений частотою 100МГц.
металодіелектричних резистори загального призначення МЛТ і ОМЛТ найбільш широко використовуються в радіоелектронної апаратурі. Вони володіють високими електричними, конструктивними та експлуатаційними характеристиками: діапазон номінальних значень опору від 8,2 до 10 В· 10 6 Ом; номінальна потужність розсіювання в залежності від типорозміру - 0,125 - 2 Вт; ТКС = (5-12) В· 10 -4 1/В° C; допустимі відхилення опору В± 2; В± 5; В± 10%; маса 0,15 - 3,5 м.
Аналогічну конструкцію мають резистори типу МТ (володіють підвищеною теплостійкістю, можуть експлуатуватися при температурі навколишнього середовища до 200 В° C), С2-33І, С2-50 (характеризуються малим допуском на номінал - В± 0,5; В± 1; В± 2%; невеликим ТКС - + (1-2,5) В· 10 -4 1/В° C; меншим рівнем шумів - до 1,5 мкВ/В). p> Для застосування в мікроелектронної апаратурі і микросборках можна використовувати резистори Р1-4-0, 25 і резистори безвиводние конструкції Р1-11 і Р1-12, які в схему впаивают безпосередньо. Резистори типу Р1-12 характеризуються такими параметрами: діапазон номінальних опорів 1 - 6,8 В· 10 6 Ом; допуск на номінал В± 5; В± 1 0; В± 20%; ТКС = + (1,5-5) В· 10 -4 1/В° C; рівень власних шумів залежить від величини опору і змінюється від 1 до 50мкВ/В.
Крім резисторів загального застосування випускають металлодіелектріческіе прецизійні резистори (С2-29В, С2-36, С2-1 та ін) і високочастотні (С2-10, С2-34). p> Прецизійні металлодіелектріческіе резистори володіють потужністю розсіяння від 0,062 до 2Вт, діапазоном номінальних опорів від 1 до 20.10 6 Ом, допуском від В± 0,05 до В± 1%; ТКС - + (0,05-10) В· 10 -4 1/В° C; рівнем шумів - від 0,5 до 5 мкВ/В.
Дротяні резистори виконують на циліндровому ізоляційному підставі з одно-або багатошарової обмоткою. Для захисту від механічних і кліматичних впливів і закріплення витків всі пристрій покривається лаками і емалями або герметизується.
Дротяні резистори характеризуються високою стабільністю опору, низьким рівнем шумів, великий номінальною потужністю, високою точністю опору.
Залежно від призначення дротяні резистори можна розділити на резистори загального призначення (Навантажувальні) і прецизійні. p> Навантажувальні резистори мають номінальну потужність від 3 до 100Вт і номінальний опір від 0,066 до 50.10 3 Ом. Застосовують такі резистори в якості дільників напруги, різних навантажень, поглинальних і баластних опорів.
Прецизійні резистори характеризуються меншою номінальною потужністю від 0,125 до 10Вт, великим діапазоном номінальних значень від 1 до 10 6 Ом, допуском від В± 0,05 до В± 2,0%, ТКС - (0,01-2) В· 10 -4 1 /В° C.
Для використання в мікроелектронної апаратурі і микросборках випускають металлофольговие прецизійні резистори С5-62, які призначені для функціональної підгонки високоточних ГІС. Ці резистори характери зуются діапазоном номінальних значень від 30 до 10.10 3 Ом, допуском від В± 0,05 до В± 1,0%; ТКС - + (0,2-0,3) В· 10 -4 1/В° C.
5. Набори резисторів
Набори резисторів призначені для використання в пристроях обчислювальної, вимірювальної техніки та іншої радіоелектронної апаратури.
За функціональним призначенням набори резисторів підрозділяють на декодуючі матриці і послідовні подільники напруги.
У декодуючих матрицях значення опорів резисторів змінюються за законом R-2R, R-2R-4R-8R та ін
Набори резисторів характеризуються номінальним опором резисторів, коефіцієнтом розподілу, допуском на номінал, ТКС і розбалансом ТКС (тобто різницею між ТКС двох резисторів), вхідним напругою (найчастіше від 2...
