о поширення набули інтегральні схеми, у яких всі елементи і межелементние з'єднання виконані в обсязі і на поверхні напівпровідника. Їх називають напівпровідниковими. p align="justify"> Для виготовлення напівпровідникових мікросхем використовують кремнієві монокристалічні пластини діаметром не менше 30 - 60 мм і товщиною 0,25 - 0,4 мм. Елементи мікросхеми - біполярні і польові транзистори, діоди, резистори і конденсатори - формують в напівпровідниковій пластині методами, відомими з технології дискретних напівпровідникових приладів (селективна дифузія, епітаксії та ін.) Межсоединения виконують напиленням вузьких провідних доріжок алюмінію на окислену (тобто електрично ізольовану) поверхню кремнію, що має вікна в плівці оксиду в тих місцях, де повинен здійснюватися контакт доріжок з кремнієм (в області емітера, бази, колектора транзистора і т.д. ).
При виготовленні підсилювача використовуваного в курсовій роботі була взята мікросхема серііTDA-2822M.
Основні характеристики мікросхеми:
Напруги живлення від 3,7 до 9 В
Споживаний струм (Vin = 0) 127 мА макс.
Вихідна потужність 0,5 Вт тип. при 3,7 В, 4 Ом і d = 0,02%
Вихідна потужність 1 Вт тип. при 9В, 4 Ом і d = 0.5%
Номінальний частотний діапазон 20 - 80.000 Гц
) Роз'єми
Роз'єм TRS - поширений роз'єм для передачі аудіосигналу. Зазвичай має три контакти (стерео), але є і модифікації з двома (TS, моно) і чотирма (TRRS) контактами. При виготовленні підсилювача були використані один роз'єм ТRS3, 5 мм і вхід Jack Plug3, 5 мм. p align="justify"> підсилювач сигнал електричний навушник
2.3 Принципова схема
В
Малюнок 2.2 - принципова схема підсилювача
Даний пристрій побудований на мікросхемах TDA 2822M, яка представляє собою монолітний інтегральний підсилювач класу АВ. Характеристики даної мікросхеми надані в таблиці. br/>
Таблиця 2.3 - Характеристики мікросхеми TDA2822M
ПараметрMINзначениеMAXзначениеНапряжение харчування, В59Ток споживання в режимі паузи, mА120Максімальная температура кристала, С55Коеффіціент посилення, дБ7990Напряженіе зміщення, мВ250Разделеніе каналів, дБ-40Разлічіе коеф-та посилення між каналами, дБ1Коеффіціент спотворень при вих потужності до 12 Вт0, 05 % Коефіцієнт спотворень при вих потужності більше 20 Вт0.5% tок споживання в піке, А200 мА
Через роз'єм X1 подається харчування на схему що активує працездатність мікросхеми.
Через роз'єм X2 подається звуковий сигнал, який проходячи через дану схему має посилюватися з мінімальним коефіцієнтом гармонійних спотворень.
Чере...
