Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Новые рефераты » Легування напівпровідникових матеріалів

Реферат Легування напівпровідникових матеріалів





адку бути зроблено досить близьким до 100% для одноразового проходу розплавленої зони через рівномірний в середньому за складом зразок. Таким чином, метод зонної плавки може задовольнити більшості практичних вимог при отриманні однорідних кристалів, якщо тільки приведена довжина злитка досить велика.

Ефективним способом підвищення теоретичного виходу при вирощуванні кристалів методом зонного плавлення є вирівнювання істотно неоднорідного розподілу домішок в початковій частині злитка. Для цього в початковій частині кристала довжиною в одну зону створюється середня концентрація домішки в K раз менша, ніж у решті частини кристала. Такий метод створення вихідного розподілу домішки отримав назву цільової завантаження . Для домішок з K <1 і з рівномірним в середньому початковим розподілом за обсягом кристала необхідне розподіл найпростіше створюється легуванням зони в початковій частині зразка. Після розплавлення зони в неї вводиться домішка в такій кількості, що при русі зони вздовж зразка вона з самого початку має постійний склад: у неї через кордон плавлення входить рівно стільки домішки, скільки йде через кордон кристалізації. Внаслідок цього склад вирощуваного кристала постійний по всій довжині за винятком його кінця, де процес йде за законом нормальної спрямованої кристалізації.

Також на практиці часто використовується метод проходження легуючої зони через чистий вихідний зразок для отримання рівномірно легованих кристалів. Суть методу зводиться до наступного. У розплавлену на початку чистого кристала зону вводять легуючу домішка. Для домішки з K <<1 при кристалізації розплаву із зони пішов настільки мало домішки, що склад рідкої фази практично не змінюється і, таким чином, виходить однорідно легований матеріал.

Тому цей метод найбільш ефективний для домішок з K <<1.


3.2 Активні методи вирівнювання складу кристалів

Ці методи служать для підвищення виходу матеріалу з рівномірним розподілом домішки. Їх відмінною рисою є те, що протягом всього кристаллизационного процесу в нього вводяться певні зміни. Активні методи вирівнювання складу поділяються на дві основні групи.

Перша - включає методи, в яких з метою підтримки концентрації домішки в розплаві протягом всього процесу вирощування монокристала постійно проводять підживлення розплаву чи нелегованої твердої, рідкої чи паровий фазою (якщо K <1), або фазою, яка містить легувальних домішка (якщо K > 1). У цих методах в процесі кристалізації повинні дотримуватися такі умови: C L = const, K = const, V = const, C S = KC L = const. Система процесу вирощування однорідного кристала в найбільш загальному вигляді включає в себе наступні елементи: зростаючий кристал, розплав і надходить в нього підживлює масу.

Друга - методи, в яких змінюються самі умови росту монокрис...


Назад | сторінка 6 з 15 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Модель розподілу концентрації механічних домішок у рідинах з використанням ...
  • Реферат на тему: Опис, виклад, утворення кристалів і структура властивостей в області застос ...
  • Реферат на тему: Вимірювання складу сплаву вісмут-сурма по довжині злитка після спрямованої ...
  • Реферат на тему: Дослідження процесів іонного легування напівпровідникових матеріалів
  • Реферат на тему: Метод потенціалів для вирішення транспортної задачі в матричній формі. Зад ...