Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Курсовые обзорные » Проектування системи управління широтно-імпульсним перетворювачем

Реферат Проектування системи управління широтно-імпульсним перетворювачем





м охолоджувача О221-60, тобто потрібні діоди 7-го класу по напрузі - Д112-10-7. p> 1.4 Вибір IGBT-транзистора і його охолоджуючого радіатора


Середній струм через ключ послідовного ШИП дорівнюватиме

.

Так як IGBT-транзистори допускають перевантаження в плині 1мс, то вибір виробляємо за перевантажувального струму:, приймаємо,

.

За перевантажувального струму вибираємо IGBT-транзистор [сайт IGBT.ru] типу SK30GH123 з наступними технічними даними:

. - Напруга колектор-емітер,

. - Напруга стік-витік,

. - Струм через колектор (при температурі),;

. - Струм через колектор (при температурі),;

. - Допустимі температури зберігання,;

. , p> де - енергія при включенні і виключенні ключа відповідно (при);

. - Тепловий опір перехід-корпус,;

. Корпус IGBT - модуля: SEMITOP 3. p> Потужність втрат в ключі


, (1.13) де - енергія включення ключа, - енергія вимикання ключа, ;

- тактова частота або частота комутації ключа, ;

- напруга стік-витік ключа,

- робочий цикл або максимальна шпаруватість імпульсів -,

- номінальне значення струму стоку ключа, відповідає виразу,

.

Перевіряємо правильність вибору ключа за формулою


, (1.14)

де - температура кристала, визначається за формулою


;


- тепловий опір перехід-корпус,;

- температура,

В 

- максимально допустима температура кристала,.

Перевіряємо виконання умови (1.14)

.

Умова виконується, значить IGBT-транзистор обраний вірно. p> Знаходимо перевищення температури корпусу над температурою навколишнього середовища за формулою

,.

Знайдемо площу охолоджуючої поверхні радіатора за формулою


,


де при природному охолодженні;

.

Вибираємо охолоджувач типу О57/300/600 [сайт elvpr.by] з наступними параметрами:

Маса - 15кг;

Габаритні розміри - (300х600х85) мм;

Кількість модулів на охолоджувачі - 1 шт.;

Тепловий опір контактна поверхню охолоджувача - охолоджуюча середовище не більше 0,131 (600Вт) В° С/Вт.


В 

Малюнок 3 - Охолоджувач О57/300/600

1.5 Розрахунок анодного реактора


Необхідне значення індуктивності анодного реактора для обмеження струму короткого замикання на рівні ударного розрахуємо за формулою:


, (1.15)

де - коефіцієнт, що враховує наявність вільної складової в струмі короткого замикання,


Назад | сторінка 6 з 18 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Сілові IGBT и MOSFET транзистори
  • Реферат на тему: Розрахунок потужного високовольтне ключа
  • Реферат на тему: Розрахунок струмів короткого замикання та вибір трансформаторів струму
  • Реферат на тему: Нове покоління драйверів SCALE для потужном MOSFET-і IGBT модулів
  • Реферат на тему: Розробка системи генерації та перевірки достовірності сертифікату відкритог ...