Вхідний опір із зростанням глибини зворотного зв'язку збільшується. p align="justify">. Вхідні динамічна ємність велика; подальше збільшення глибини зворотного зв'язку призведе до зниження коефіцієнта підсилення. p align="justify"> Висновок: отримані результати говорять про те, що предоконечний каскад, побудований на простому реостатному каскаді, здатний реалізувати посилення близьке до одиниці.
Спираючись на зроблений висновок, спробуємо використовувати в якості проміжного каскаду емітерний повторювач.
Виберемо транзистор, який підійшов би для реалізації предоконечного каскаду. Таким може стати кремнієвий транзистор КТ355А. Він має наступні параметри:
гранична частота транзистора
максимальна напруга колектор-емітер
максимальний струм колектора
ємність колекторного переходу
постійна часу ланцюга зворотного зв'язку
статичний коефіцієнт передачі струму
максимальна розсіює потужність колектора
зворотний струм колектора
Його схема розраховується каскаду зображена на малюнку 4.2.1
В
Малюнок 4.2.1 - Проміжний каскад
.2.1 Вибір режиму транзистора
Оскільки транзистор предоконечного каскаду тепер працює на малосигнальний режимі, то доцільно вести розрахунок параметрів транзистора НЕ відштовхуючись від вихідної напруги каскаду. У цьому режимі задамося зручною робочою точкою приймемо і аналогічно розрахунку попередньої ланцюга знайдемо. Падіння напруги на, яке візьмемо рівним, складе. Таким чином, для роботи даного каскаду знадобиться напруга рівне. Оскільки джерело живлення має напругу, а застосування декількох джерел живлення в підсилювачі недоцільно, то доведеться включати даний каскад через гасящій фільтр. p> Навантаженням предоконечного каскаду є вхідний опір кінцевого каскаду. Знайдемо
В
2.2.2 Розрахунок параметрів транзистора
Розрахунок режиму транзистора предоконечного каскаду будемо проводити з урахуванням того, що опором навантаження тепер буде вхідний опір кінцевого каскаду, яке одно. З ряду номінальних значень елементів Е24 є рівна. Його ми й візьмемо в якості опору емітера. p> За формулами (4.1.8), (4.1.12) - (4.1.15) знаходимо
В В В В
Розрахуємо глибину зворотного зв'язку і будемо вважати всі параметри, враховуючи її
(4.2.1)
; (4.2.2)
.2.3 Розрахунок підсилювача в області високих частот
Користуючись уже відомими формулами (4.1.16) - (4.1.19) знаходимо
В В В В
Знайдемо використовуючи формулу (4.2.3) з урахуванням зворотного зв'язку
; (4.2.3)
Визначимо вхідну динамічну ємність за формулою (4.2.4) і вхідний опір транзистора по вхідний характеристиці і (4.1.21)
(4.2.3)
В
З урахуванням зворотного зв'язку вхідний ...
