скаду є вхідна потужність кінцевого каскаду, тобто У якості активного елемента використовуємо транзистор КТ938Б-2. Його основні параметри наведені в таблиці 2. br/>
Таблиця 2 - Основні параметри транзистора КТ938Б-2
ХарактеристикаЗначениеВыходная потужність , ВТ1, 5Коеффіціент передачі струму 30Постоянное напруга колектор - емітер , В> 60Постоянное напруга емітер - база , В15Постоянний струм колектора , А0, 2Внутреннее опір бази < span align = "justify">, Ом0, 2Внутреннее опір емітера , Ом0, 5Частота транзиту, ГГц1, 5Індуктівность емітера , нГн1, 1Індуктівность бази , нГн1, 8Емкость колекторного переходу , пФ4, 5Допустімая температура переходу , ДО150
3.1 Розрахунок колекторної ланцюга
Напруга живлення = 30 В. Кут відсічення оберемо? = 90?.
) Розрахуємо коефіцієнт використання джерела живлення? кр в критичному режимі
,
де - коефіцієнт Берга для першої гармоніки.
) Розрахуємо амплітуду першої гармоніки напруги U1 на колекторі транзистора в критичному режимі
В
) Максимальна напруга на колекторі
В
) Амплітуда першої гармоніки колекторного струму
В
де P1 = 1 Вт - вихідна потужність передавача.
) Максимальний колекторний струм
В
) Постійна складова колекторного струму
В
7) Максимальна потужність, споживана від джерела живлення
В
) Потужність, що розсіюється на колекторі транзистора
В
) Опір колекторної навантаження (еквівалентне вихідний опір каскаду посилення)
В
) Коефіцієнт корисної дії колекторної ланцюга при номінальному навантаженні
В
3.2 Розрахунок вхідного ланцюга
) Постійна складова колекторного струму
В
) Постійні складові емітерного струмів
В
) Розрахунок додаткових параметрів.
Додаткове опір
В
Додатковий параметр?
В
) Амплітуда струму бази
В
) Максимальна зворотна напруга на емітерних переході
В
де Eотс - напруга відсічення, для кремнієвих транзисторів Eотс? 0,7 В.
) Знайдемо еквівалентні параметри транзистора для включення в схемі з загальним емітером.
Еквівалентна індуктивність транзистора
В
Еквівалентна опір транзистора
В В
Еквівалентна ємність транзистора
В
Активна складова вхідного опору транзистора
В
Реактивна складова вхідного опору транзистора
В
Вхідний о...
