кремнієвих транзисторів;
(5.6)
(5.7)
) Знайдемо провідність переходу база - емітер:
(5.8)
) Розрахуємо крутизну
(5.9)
(5.10)
) Розрахуємо ємність емітерного переходу:
(5.11)
) Знайдемо вихідний опір і вихідну провідність транзистора:
(5.12)
(5.13)
Отримані параметри схеми Джіаколлето:
1)
2),
3),
4)
5)
6)
7),
5.2 Односпрямована модель вихідного транзистора
Еквівалентна схема односпрямованої моделі транзистора представлена ??на малюнку 5.2:
Малюнок 5.2 - Односпрямована модель транзистора
) Вхідний опір:
(5.14)
(5.15)
) Крутизна прохідний характеристики:
(5.16)
) Постійна часу транзистора:
(5.17)
) Вихідна ємність:
(5.18)
Розрахунок вхідний ємності односпрямованої моделі транзистора наведений у пункті 6.
6. РОЗРАХУНОК КОЕФІЦІЄНТА ПОСИЛЕННЯ ВИХІДНОГО КАСКАДУ І спотворень, що вносяться вхідний ланцюгом
) Коефіцієнт підсилення:
(6.1)
Коефіцієнт посилення некорректірованного каскаду вийшов більше заданого. Але підключення вхідного ланцюга (генератора) дасть значні спотворення, що призведе до зменшення коефіцієнта посилення.
) Вхідна ємність:
(6.2)
) Знайдемо:
(6.3)
) Оцінимо спотворення на частоті, що відповідає верхній межі смуги пропускання:
(6.4)
Переведемо в децибели:
(6.5)
Виходить, що спотворення в області верхніх частот перевищують заданий рівень спотворень для вихідного каскаду, тому буде потрібно корекція.
7. РОЗРАХУНОК ЦЕПИ КОРЕКЦІЇ ВИХІДНОГО КАСКАДУ
потужність резистивний дросельний каскад
Існує кілька видів корекції, в даному випадку будемо використовувати еміттерную корекцію.
Принципова схема каскаду з емітерний корекцією наведена на рис. 7.1 (а), еквівалентна схема по змінному струму - на малюнку 7.1 (б), де - елементи корекції. При відсутності реактивності навантаження емітерна корекція вводиться для корекції спотворень АЧХ внесених транзистором, збільшуючи амплітуду сигналу на переході база-емітер із зростанням частоти підсилюється сигналу. <...
