одиться, як і при кімнатній температурі. Мабуть, це пояснювалося впливом теплових ефектів, які сильно проявлялися при кімнатній температурі. Подальше зниження температури до +4 К не дало ніяких результатів - транзистор відмовив, так як його маятник став жорсткішим і загубився тунельний контакт між електродами S і D. У звичайних мікроелектронних транзисторах переноситься близько 100 000 електронів для того, щоб забезпечити стан «1» або «О». У новому електромеханічному транзисторі цю роль виконує один електрон. Переваги нового пристрою - у відсутності теплових шумів, так як стік і джерело фізично розділені. Також зменшиться енергоспоживання пристрою, зібраного на цих транзисторах. Застосування маятника в якості переносника електронів дозволить транзистору працювати в умовах підвищеної радіоактивності, говорить Блайк. Тому одним із застосувань механотранзістора стане супутникова електроніка. Літом 2004 р. Блайк і Шеблі розробили технологію, за якою виробляти такий транзистор стало простіше. Транзистор 2001 не можна було поставити на потік, а транзистор 2004 р. - можна. Виробництво за новою технологією зводиться лише до двох кроках: електронної літографії і труїть. Як говорить Блайк: «Чому ми не додумалися до цього раніше - ніяк не можемо зрозуміти». Вчені запатентували виробничий процес і сам транзистор.
Прототип одноелектронного транзистора на основі графену
Виключні електронні властивості графену - двовимірного кристала вуглецю - дозволили виготовити найменший у світі транзистор. Група вчених з університету в Манчестері (А. Гейм, К. Новосьолов, Л. Пономаренко та ін) опублікувала минулого тижня в журналі Science статтю з описом експерименту, в якому доведена принципова можливість створення одноелектронного транзистора розмірами близько 10 нм. Подібний одноелектронний транзистор є одиничним елементом майбутніх графенових мікросхем. Одноелектронний транзистор містить тільки одну область провідності, з'єднану з істокового і стоковим електродами тунельними бар'єрами. Електрод затвора управляє протікає через область провідності струмом c допомогою ємнісного зв'язку. В основі концепції одноелектронного транзистора лежить можливість отримати помітні зміни напруги при маніпуляції з окремими електронами.
У новій статті британських дослідників було повідомлення про створення транзистора на одноатомний шарі з нанострічках графена шириною в 50 атомів, розділених ще більш вузькою смужкою графена. Прототип транзистора показав відмінні електричні властивості і принципову можливість управління потоком електронів.
Там застосований інший підхід - в єдиному аркуші графена за допомогою електронно-променевої літографії та реактивного плазмового травлення вирізують квантову точку (по суті, віддаляється кілька атомів вуглецю), яка є своєрідним островом, приєднаним до іншої частини листа через дуже тонкі контакти. Розміри цього окремого фрагмента графена такі, що починають проявлятися квантові властивості речовини, які й визначають можливість управління окремими електронами.
У сформованому таким чином транзисторі провели дослідження поведінки електронів в обмеженому просторі. Електрони, що потрапили всередину квантової точки, не в змозі вибратися звідти без зовнішнього поля, і при цьому інші електрони потрапити з електродів в квантову точку також вже не можуть. Цей ефект можна сп...
