Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Курсовые проекты » Розробка інтегральних мікросхем

Реферат Розробка інтегральних мікросхем





антимоніді індію

Карбід кремнію

Атомна молекулярна маса

28,1

72,6

144,6

118,3

40,1

Щільність, г/см -3

2, .33

5,32

5,4

5,78

5,32

Концентрація атомів в€™ 10 22 , см -3

5

4,4

1,3

1,4

4,7

Постійне решітки, нм

0,543

0,566

0,563

0,648

0,436

Температура плавлення, В° С

1420

937

1238

520

2700

Коефіцієнт теплопровідності, Вт/(см в€™ К)

1,2

0,586

0,67

0,17

0,084

Питома теплоємність, Дж/(г в€™ К)

0,76

0,31

0,37

1,41

0,62 ... 0,75

Рухливість електронів, см 2 /(В в€™ с)

1300

3800

8500

77000

100 .. 150

Рухливість дірок, см 2 /(В в€™ с)

470

1820

435

700

20 ... 30

Відносна діелектрична провідність

12

16

11

16

7

Коефіцієнт дифузії електронів, см 2 /c

33,6

98

220

2200

2,6 ... 3,9

Коефіцієнт дифузії дірок, див 2 /с

12,2

47

11,2

18

0,5 ... 0,77

Ширина забороненої зони, еВ (Т = 300 К)

1,12

0,67

1,41

0,18

3,1



Таблиця 2.3 - Ширина забороненої зони (в еВ) елементарних напівпровідників (при T = 300K) [5, стор 134]

В 

Елемент

Е

Бор

1.1

Вуглець (алмаз)

5.6

Кремній

1.12

Германій

0.0665

Олово

0.08

Фосфор

1.5

Миш'як

1.2

Сурма

0.12

Сірка

2.5

Селен

1.8

Тейлур

0.36

Йод

1.25


При виготовленні ІМС застосування отримали кремній, германій, арсенід і фосфід галію, антимонід індію, карбід кремнію. Найбільш поширеними у цій галузі є кремній, однак застосування в виготовленні ІМС знаходять багато з перерахованих вище з'єднання.

Арсенід галію GaAs, що володіє більш високою рухливістю електронів і більшою шириною забороненої зони. Його застосовують в ІС високої швидкодії, зокрема в мікросхемах СВЧ, але головним чином для виготовлення дискретних приладів НВЧ. Широкому застосуванню цього матеріалу в мікроелектронної технології перешкоджає складність його отримання та обробки. Арсенід галію GaAs, фосфід галію GaP, карбід кремнію SiC служать для виготовлення світлодіодних структур у оптоелектронних ІС. Антимонід індію InSb, що має дуже високу рухливість електронів, є перспективним матеріалом для створення ІС дуже високого швидкодії. Однак через малу ширину забороненої зони цього напівпровідника робота таких мікросхем можлива лише при глибокому охолодженні [7].

Кремній кристалізується в структурі алмазу. ...


Назад | сторінка 7 з 27 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Арсенід індію. Властивості, застосування. Особливості отримання епітаксій ...
  • Реферат на тему: Залежність ширини забороненої зони в кремнії від температури
  • Реферат на тему: Карбід кремнію на нитридной зв'язці
  • Реферат на тему: Застосування арсеніду галію в мікроелектроніці
  • Реферат на тему: Отримання галію із стічних вод алюмінієвих заводів