Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Курсовые обзорные » Розрахунок підсилювального пристрою

Реферат Розрахунок підсилювального пристрою





без ООС. br/>

Перехідні характеристики підсилювача представлені на рис.18.

Частотні характеристики підсилювача представлені на рис. 19. br/>В 

Рис.18. Перехідні характеристики підсилювача без ООС. br/>В 

Рис. 19. Частотні характеристики підсилювача без ООС


10. Моделювання підсилювача з ООС


Схема підсилювача представлена ​​на рис. 20. Для підсилювача взято вхідна напруга, що забезпечує заданий U Нm на виході. Щоб "згладити" АЧХ в області частот 100 Гц - 1 кГц, значення ємності C3 було збільшено до 27 мкФ. Для кращої збіжності розрахованого і реального коефіцієнта посилення був введений додатковий резистор R.


В 

Рис. 20. Схема підсилювача з ООС. br/>

Перехідні характеристики підсилювача представлені на рис.21.

Частотні характеристики підсилювача представлені на рис.22.


В 

Рис.21. Перехідні характеристики підсилювача з ООС. br/>В 

Рис.22. Частотні характеристики підсилювача з ООС. <В 

11. Результати моделювання


Таблиця 2

СхемаРасчетний коефіцієнт усіленіяСмоделірованний коефіцієнт усіленіяАмплітуда вхідного сігналаАмплітуда вихідного сігналаВиходной каскад-41 ,15-35, 530,3 В10, 66 ВВходной каскад-121 ,88-92, 482,1 мВ194, 208 мВУсілітель без ООС501550102, 1 мВ10, 522 ВУсілітель з ООС338633323, 2 мВ10, 661 В

Отримане розбіжність розрахунку з моделюванням пояснюється наближеним характером розрахунку, при якому враховувалися не всі параметри транзистора, а також округленням значень опорів і ємностей до відповідності низці Е24.

12. Перелік елементів


Таблиця 3

Транзистор BC307A 1VT1ep Транзистор BC307A 1VT2 Транзистор BC307A 1VT2ep Транзистор BC307A 1UvhГенератор вхідного сігнала1E1Генератор напруги живлення (5 В) 1E2Генератор напруги живлення (36 В) 1РезісториRg10 Ом1R1113 кОм1R215, 6 кОм1Rс14, 7 кОм1Re11, 3 кОм1Rep11, 3 кОм1Re1110 Ом1R1224 кОм1R222 кОм1Rc22 кОм1Re2200 Ом1Rep200 Ом1Rn21, 1 кОм1Rn1560 кОм1Roc100 кОм1R2, 7 кОм1КонденсаториС1560 нФ1Сe151 мкФ1С2270 нФ1Сe2620 мФ1С3470 НФ1

Висновок

В 

В результаті виконання курсової роботи були придбані навички розрахунків і вивчені методи проектування і розробки підсилювачів. Також було вивчено практичне застосування ЕОМ для моделювання електронних пр...


Назад | сторінка 7 з 8 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Схема групового підсилювача
  • Реферат на тему: Схема мікрофонного підсилювача
  • Реферат на тему: Розрахунок моделі та моделювання підсилювача низьких частот в Micro-Cap
  • Реферат на тему: Електрична схема на базі підсилювача потужності
  • Реферат на тему: Схемотехнічне моделювання підсилювача низьких частот