д Сонця, можна взагалі говорити про таке складне явище, як життя. Одним з напрямків енергетики майбутнього є сонячна енергетика. На сьогоднішній день найбільш ефективним способом перетворення сонячної енергії є напівпровідниковий фотоефект Внутрішній або напівпровідниковий фотоефект - збільшення електропровідності напівпровідників або діелектриків під дією світла. Причиною фотопровідності є збільшення концентрації носіїв заряду (електронів) в зоні провідності і дірок у валентній зоні. Для цього явища притаманне таке поняття як Фотопроводимость - додаткова електропровідність напівпровідників, зумовлена ​​䳺ю світла. Фотопровідність залежить від роду напівпровідника, його температури, а також виду та кількості домішок у ньому. p align="justify"> Фотоелектричні явища виникають при поглинанні речовиною електромагнітного випромінювання оптичного діапазону. До цих явищ належить і зовнішній фотоефект. Зовнішнім фотоефектом називають явище виривання електронів з речовини під дією падаючого світла. Явище зовнішнього фотоефекту відкрито в 1887 р. Герцем, а детально досліджено Столетовим. Теорія фотоефекту на основі квантових уявлень створена Ейнштейном. p align="justify"> Явище фотоефекту отримало широке практичне застосування. Прилади, в основі принципу дії яких лежить фотоефект, називаються фотоелементами. Фотоелементи, які використовують зовнішній фотоефект, перетворять енергію випромінювання в електричну лише частково. Так як ефективність перетворення невелика, то в якості джерел електроенергії фотоелементи не використовують, але зате застосовують їх в різних схемах автоматики для управління електричними ланцюгами за допомогою світлових пучків. p align="justify"> Внутрішній фотоефект використовують в фоторезисторах. Вентильний фотоефект, що виникає в напівпровідникових фотоелементах з pn переходом, використовується для прямого перетворення енергії випромінювання в електричну енергію (сонячні батареї). Необхідні умови для виникнення внутрішнього фотоефекту-частка повинна бути пов'язаною, і енергія фотона повинна перевищувати її енергію зв'язку. Внутрішній фотоефект може відбуватися в напівпровідниках і діелектриках (і в металах теж). p align="justify"> Фотоефект використовується в фотоелектронних приладах, які отримали різноманітні застосування в науці і техніці. На фотоефекті засноване перетворення світлового сигналу в електричний. Електричний опір напівпровідника падає при освітленні; це використовується для влаштування фотосопротівленій. При висвітленні області контакту різних напівпровідників виникає фото-ерс, що дозволяє перетворювати світлову енергію в електричну. Фотоелектронні помножувачі дозволяють реєструвати дуже слабке випромінювання, аж до окремих квантів. Аналіз енергій і кутів вильоту фотоелектронів дозволяє досліджувати поверхні матеріалів. У 2004 році японські дослідники створили новий тип напівпровідникового приладу - фотоконденсатор, нерозривно з'єднує в собі фотоелектричний перетворювач і засіб...
