корююче поле, в якому відбувається лавинне розмноження носіїв, тобто посилення фотоструму. ці прилади характеризуються високою чутливістю, великим посиленням і високою швидкодією, однак, їх використання ускладнене складністю, високою вартістю, високими робочими напругами, необхідністю стабілізації напруг і температур і роботою тільки в режимі посилення слабкого сигналу.
Вибираючи фотодіод, в необхідному спектральному діапазоні, нам необхідно забезпечити найбільшу чутливість, мінімальну ємність, мінімальний темнової струм, мінімальну еквівалентну потужність шумів.
Спектральні характеристики приймачів оптичного випромінювання (рис 2):
В
Рис.2 Спектральні характеристики приймачів оптичного випромінювання [3, стор 269]
З наведеного вище малюнка (рис.2), видно, що в третьому вікні прозорості для виготовлення фотодіодів використовуються такі матеріали, як Ge і InGaAs (з'єднання групи А III B v ). Будемо вибирати з приймачів, виготовлених з цих матеріалів.
Як правило, в InGaAs-фотодіодах досягаються більші значення показника поглинання світла, ніж у Ge. Якщо ж на довжині хвилі 1.33 мкм вони сумірні, то вже на 1.55 мкм германій володіє меншим поглинанням. Так само внаслідок малої ширини забороненої зони щільність темнового струму в германии перевищує на кілька порядків щільність темнового струму в InGaAs. p align="justify"> Виходячи з вищесказаного, будемо вибирати фотодіод на основі InGaAs.
У таблиці 2 і таблиці 3 наведено ряд PIN і APD фотодіодів відповідно:
Таблиця 2. PIN-фотодіоди
модельFв, ГГцId, нАS, А/ВтC, пФd акт , мкм Mitsubishi Electric Semiconductor PD708C820.050.91.280 Kyosemi Corporation KPDE10GC-V2140.010.950.1728 Microsemi Corporation LX30556.50.61.00.3560 Hamamatsu Corporation G8198-130.060.950.640 Kodenshi Korea corp. KPPB1-LM6221.40.20.951.370
Таблиця 3. APD-фотодіоди
модельFв, ГГцId, нАS, А/ВтC, пФMFd акт , мкм Mitsubishi Electric Semiconductor PD893E68.5300.850.22н/дн/д20 Eudyna Devices Inc FPD5W1KX3150.920.5510430
