6.
. Золіна К.Г., Кудряшов В.Є., Туркін А.Н., Юновіч А.Е. Спектри люмінесценції блакитних та зелених світлодіодів на основі багатошарових гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN з квантовими ямами//ФТП. 1997. Т. 31. № 9.
. Шуберт Ф.Е. Світлодіоди. М .: ФИЗМАТЛИТ. 2008.
. Лосєв О.В. Біля витоків напівпровідникової техніки: вибрані праці. Л .: Наука. 1972.
. Павличенко У І., Рижиков І.В., Кміта Т. Г., Карагеоргій-Алкаєв П.М., Лейдерман А. Ю. Електролюмінесценція діодів з карбіду кремнію//ФТП. 1996. Т.8. № 4.
. Violin EE, Kalnin AA, Pasynkov VV, Tairov YM, Yaskov DA Silicon Carbide - +1968//2-nd International Conference on Silicon Carbide. Special Issueof Material Research Bulletin. 1969.
. Edmond J.A., Kong H. S., Carter Jr. CH Blue LEDs, UV photodiodes and high-temperature rectifiers in 6H-SiC//Physica B. 1993.
. Поліщук А.Г., Туркін А.Н. Концепція застосування світильників зі світлодіодами в цілях реалізації програми енергозберігаючого освітлення//Компоненти і технології. 2007. № 11.
. Туркін А.Н. Нітрид галію як один з перспективних матеріалів в сучасній оптоелектроніці//Компоненти і технології. 2011. № 5.
. Четверикова І.Ф., Чукічев М.В., Храмцов А.П. Оптичні властивості нітриду галію//Огляди з електронної техніки. 1982. Сер. 6. Вип. 1, 8.
. Сапарін Г.В., обиден С.К., Четверикова І.Ф., Чукічев М.В. Про аномальну кінетиці катодолюминесценции в GaN//Бюлл. МГУ. Сер. 3. Фізика і астрономія. 1983. Т. 24. № 3.
. Перловський Г.В., обиден С.К., Сапарін Г.В., Попов С. І. Температурна релаксація катодолюминесценции, стимульованої електронним пучком в GaN: Zn//Бюлл. МГУ. Сер. 3. Фізика і астрономія. 1984. Т. 25. № 3.
