на ключах з електронним управлінням, яку ми розглядали раніше. Відмінність полягає в тому, що навантаження підключається не до загального проводу схеми, а до джерела живлення. Принципова схема елемента 2І-НЕ raquo ;, виконаного на комплементарних МОП транзисторах приведено малюнку 13.
Малюнок 1.13. Принципова схема елемента 2І-НЕ raquo ;, виконаного на комплементарних МОП транзисторах. [7]
Малюнок 1.14. Схема елемента 2І-НЕ виконана в Protel.
Малюнок 1.15. Результати аналізу роботи елемента 2І-НЕ в статичному режимі.
У цій схемі можна було б застосувати у верхньому плечі звичайний резистор, однак при формуванні низького рівня схема постійно споживала б струм. Замість цього, в якості навантаження використовуються p-МОП транзистори. Ці транзистори утворюють активне навантаження. Якщо на виході потрібно сформувати високий потенціал, то транзистори відкриваються, а якщо низький - то закриваються.
У наведеній на малюнку 13. схемою струм від джерела живлення на вихід мікросхеми буде надходити через один з транзисторів, якщо хоча б на одному з входів (або на обох відразу) буде присутній низький потенціал (рівень логічного нуля ). Якщо ж на обох входах буде присутній рівень логічної одиниці, то обидва p-МОП транзистора будуть закриті і на виході мікросхеми сформується низький потенціал.
Умовно-графічне зображення логічного елемента 2І-НЕ показано на малюнку 16, а таблиця істинності наведена в таблиці 1. У таблиці 12 входи позначені як x1 і x2, а вихід - F.
Малюнок 1.16. Умовно-графічне зображення елементу 2І-НЕ .
Таблиця істинності схеми, що виконує логічну функцію 2І-НЕ .
Аналіз роботи логічного елемента АБО-НЕ raquo ;. Цей елемент, виконаний на КМОП транзисторах, являє собою паралельне з'єднання ключів з електронним управлінням. Відмінність від схеми 2ИЛИ raquo ;, розглянутої раніше, полягає в тому, що навантаження підключається не до загального проводу схеми, а до джерела живлення. Замість резистора в якості навантаження використовуються p-МОП транзистори. Принципова схема елемента 2ИЛИ-НЕ raquo ;, виконаного на комплементарних МОП транзисторах приведено малюнку 4.
Малюнок 1.17. Принципова схема елемента 2ИЛИ-НЕ raquo ;, виконаного на комплементарних МОП транзисторах. [7]
Малюнок 1.18. Схема елемента 2ИЛИ-НЕ, виконана в Protel.
У схемі логічного елемента 2ИЛИ-НЕ в якості навантаження використовуються послідовно включені p-МОП транзистори. У ній струм від джерела живлення на вихід мікросхеми буде надходити тільки якщо всі транзистора у верхньому плечі будуть відкриті, тобто якщо відразу на всіх входах буде присутній низький потенціал (рівень логічного нуля). Якщо ж хоча б на одному з входів буде присутній рівень логічної одиниці, то верхнє плече буде закрито і струм від джерела живлення надходити на вихід мікросхеми не буде.
Таблиця істинності, реалізована цією схемою, наведена в таблиці, а умовно-графічне позначення цих елементів наведено на малюнку.
Таблиця істинності схеми, що виконує логічну функцію 2ИЛИ-НЕ
Малюнок 1.19. Умовно-графічне зображення елементу 2ИЛИ-НЕ .
Малюнок 20. Схема логічного елемента 3ІЛІ-НЕ, виконана Protel.
Малюнок 21. Результати досліджень часу перемикання елемента 3ІЛІ-НЕ в програмі PSpice AD ??(компонент системи OrCAD).
В даний час саме КМОП мікросхеми отримали найбільший розвиток. Причому спостерігається постійна тенденція до зниження напруги живлення. Перші серії мікросхем, такі як К561 (аналог серії CD4000В, запропонованої вперше фірмою RCA) мали досить широким діапазоном зміни напруги живлення Ucc=3 .-. 18 В.
. 3 Розробка стенду
. 3.1 Виготовлення друкованої плати і макета
Плати з друкованими провідниками і контактними майданчиками в аматорській практиці зручно використовувати лише тоді, коли пристрій попередньо добре відпрацьовано. В процесі настройки доводиться кілька разів демонтувати окремі деталі і встановлювати інші, а друковані контактні площадки під дією багаторазових теплових і механічних навантажень, як правило, відшаровуються. Тому на етапі налагодження схеми краще застосовувати монтажні плати, які є як би макетом майбутньої друкарської платні.
Пластину необхідних розмірів з нефольгірованного ізоляційного матеріалу (текстоліт, гетинакс, фанера) обробляють з одного боку дрібнозернистим наждачним папером, знежирюють і зміцнюють необробленої стороною н...
