ть розробки, у вересні 1997р. для вирішенню цієї проблеми булу Створена так кличуть входити Віртуальна Національна Лабораторія (VNL), что Включає крім національніх лабораторій Міністерства енергетики (Lawrence Berkley, Liver - more and Sandia National Laboratories) ПРИВАТНІ Компанії, Такі як Intel, Motorola, Advanced Micro Devices (AMD). Уже в березні 1999р. в фірмі Motorola Із ЗАСТОСУВАННЯ цієї технології були отрімані малюнки з просторова Дозволи до 30 нм. У 2000 р. в Ліверморської национальной лабораторії БУВ виготовленя перший варіант (a - tool) установки суміщення и експонування (так званого степпера) i в Сейчас годину проходити стадія p - tool випуску малої Серії [10].
У Европе фірмою- координатором робіт в області EUV - літографії є ??ASM Lithography (Нідерланди), яка в подалі І буде виготовляти степпер. Можна такоже відзначіті, что Основним Виробнику степперів побудованій Спеціальний корпус и проходять Стадії монтажу и випробування Вузли степпера. Фірма Carl Zeiss відповідає за оптику, ASM Lithography практично відповідає за вибір джерела випромінювання [11]. Намічалося, что виготовлення та випробування a - tool степпера повінні буті Закінчені в 2004 р., P - tool в 2005 р., Y - tool в 2007 р. Передбачається, что Європа буде очень незначна відставаті в області проекційної літографії від США.
Подібні дослідження активно проводяться в Японії. Існує національна програма EUVL Research Program at ASET raquo ;, в якові включені много Дослідницькі групи. Плани создания повної технології EUV - літографії практично збігаються з планами США.
Слід Зазначити, что західні фірми и фірми Японії широко Використовують российских и украинских вчених (за різнімі контрактами), Які, без перебільшення займають провідне положення в розробці техніки і технології EUV - літографії.
заразитися силами ІФМ РАН, ФТІ ім. Іоффе РАН, ТРІНІТІ, НІІІС и Деяк других інстітутів успішно розвівається EUV - літографія, яка забезпечен Зменшення топологічніх Розмірів від 0,04 до 0,01 мкм.
Об'єднання ціх технологий забезпечен нам до середини XXI століття провідні позіції в мире в Галузі виробництва великих и надвелікіх інтегральніх схем.
За прогнозами SEMITECH, основним безпосередньо, Який візначатіме розвиток електроніки (наноелектронікі) з 2 010 р., буде EUV - літографія на довжіні Хвилі 13,5 нм [12]. Цей напрямок очень дінамічно розвівається в США, Европе и Японии. У Науковій части проектів задіяна значний група российских та українських інстітутів та ОКРЕМЕ науковців. Много років ІФМ РАН бере доля у зарубіжніх проектах и ??зараз має ПЕРЕДОВІ позіції и розуміння проблеми. З 2003 р. в ІФМ РАН ведеться проект по створеня макета літографа. Інфекцій проектується літограф малої продуктівності для спецвіробніцтва. У разі придбання передового мікроелектронного виробництва можна буде початиться розробка літографа, Який Згідно замінить штатний.
2.2 Проблеми і перспективи ультрафіолетової нанолітографії
У мікроелектроніці найперспектівнішою технологією создания елементів розміром 16-22 нм вважають літографію, Працюючий в граничному УФ діапазоні на довжіні Хвилі 13,5 нм. Ее назівають EUV - нанолітографією (extreme ultraviolet). Предложено Концепцію создания вітчізняного EUV - наносканера з шести ДЗЕРКАЛЬНИЙ проекційнім об'єктівом з числовою апертурою NA? 0,3.
Підкреслено домінуюча роль у віборі технологи сертифіката № СОО (cost of ownership).
Безсумнівно, в сучасности мікроелектронному ВИРОБНИЦТВІ ключовими технологічним Ланка є літографія. Вона візначає контури деталей елементів мікросхеми, Плазмові процеси и імплантацію, что Використовують у віготовленні ціх елементів (примерно 60-70% всех процесів в маршруті виготовлення кремнієвіх інтегральніх схем).
Основні Світові розробник и Виробники обладнання для EUV - нанолітографії - EUV - наносканеров (рис.2.2), є фірми ASML (Нідерланди) i Nikon (Японія). Провідні фірмі- Виробники електронної техніки, вікорістовуючі це літографічне обладнання, Вже освоїлі серійній випуск НВІС для устройств пам'яті з технологічним рівнем (мінімальній розмір елементів) 30 нм и 40 нм для логічніх устройств. У планах КОРПОРАЦІЇ Intel освоїті 32 -нм норму в 2009-2010 роки Інтенсівні дослідження набліжають літографічні технології до промислового виробництва НВІС уровня 28 нм. На рис. 2.3 наведена дорожня карта фірми ASML по створеня EUV - наносканеров. Введення технології рівняхня 16-22 нм и Менш очікується в 2016-2017 роки, а по оптімістічнім прогнозами Samsung Electronics - до 2015 року.
Рис. 2.2 Загальна схема EUV-наносканерів
При цьом актуальним є создания вітчізняного DUV - наносканера на базі лінзового и ДЗЕРКАЛЬНИЙ - л...
