Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Курсовые проекты » Осцилятор терагерцового діапазону на Основі надрешіткі AlAs / GaAs

Реферат Осцилятор терагерцового діапазону на Основі надрешіткі AlAs / GaAs





иладів та інтегральних схем . Москва: Вища школа.

. # justify gt ;. # justify gt ;. # justify gt; 8. Алфьоров Ж.І. Подвійні гетероструктури: концепції та застосування у фізиці, електроніці та технології//УФН. 2002. Т. 172, №9. С. 1072-1086.

. Гусєв А.І. Нано матеріали, нано структури, нано технології.- М .: Физматлит, 2007. - 416 с.

. Ф.Г. Басс. Напівпровідники зі надґратка. ? Природа? , 1984 р

. А.П. Силін. Напівпровідникові надґратка. Успіхи фізичних наук, том 147, вип. 3. 1985

. Bernhard Rieder. Diss: Semiclassical Transport in Semiconductor Superlattices with Boundaries, 2004.


Назад | сторінка 8 з 8





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Нано як ключове слово епохи
  • Реферат на тему: Кольорові метали: класифікація, області застосування. Металеві провідников ...
  • Реферат на тему: Вкладки: класифікація, показання та протипоказання до застосування, методи ...
  • Реферат на тему: Розробка ресурсозберігаючої технології обробітку озимої пшениці на основі з ...
  • Реферат на тему: Історія появи напівпровідникових інтегральних схем