тно більш широкої спектральної області, ніж лазери в системі AIGaAs. Вони знайшли широке застосування в якості джерел випромінювання у волоконно-оптичних лініях зв'язку підвищеної дальності.
У Росії (вперше в світі) було організовано великомасштабне виробництво гетероструктурних сонячних елементів для космічних батарей. Одна з них, встановлена ​​в 1986 році на космічної станції В«МирВ», пропрацювала на орбіті весь термін експлуатації без істотного зниження потужності.
Минуло понад 30 років з тих пір, як почалося вивчення квантових ефектів в напівпровідникових структурах. Були зроблені чудові відкриття в галузі фізики низьковимірних електронного газу, досягнуті вражаючі успіхи в технології, побудовані нові електронні та оптоелектронні прилади. І сьогодні у фізичних лабораторіях активно тривають роботи, спрямовані на створення і дослідження нових квантових структур і приладів, які стануть елементами великих інтегральних схем, здатних з високою швидкістю переробляти і зберігати величезні обсяги інформації. Можливо, що вже через кілька років настане ера квантової напівпровідникової електроніки.
Список літератури
1. Есаки Л. Молекулярно-променева епітаксії і розвиток технології напівпровідникових надграток і структур з квантовими ямами. - В кн: Молекулярно-променева епітаксії і гетероструктури.: Пер. з англ./Под ред. Л. Ченга, До Плог. - М.: Мир, 1989. - С. 7 - 36. p> 2. Херман М. Напівпровідникові надгратки. - М.: Мир, 1989. - 240 с. p> 3. Сілін А.П. Напівпровідникові надгратки// Успіхи фізичних наук. - 1985. - Т.147, вип. 3. - C. 485 - 521. p> 5. Бастар Г.. Розрахунок зонної структури надграток методом обвідної функції. - В кн: Молекулярно-променева епітаксії і гетероструктури/За ред. Л. Ченга, К. Плог. - М.: Мир, 1989. - С. 312 -347. p> 6. Цанг В.Т. Напівпровідникові лазери і фотоприймачі, отримані методом молекулярно-променевої епітаксії. - В кн: Молекулярно-променева епітаксії і гетероструктури/За ред. Л. Ченга, К. Плог. - М.: Мир, 1989. - С. 463 -504. br/>
