Реферат Проектування передає радіосигнали пристрої

ої складової струму колектора, напруженнями і.

Виходячи із заданих величин, визначимо опір.

Ом.

Виберемо найближчий стандартний номінал Ом.

Напруга джерела живлення повинна складати

В.

Тоді струм бази дорівнює

,

де? статичний коефіцієнт передачі струму бази. Тоді

мкА.

Струм дільника напруги ланцюга зміщення виберемо з умови

.

Тоді сумарний опір подільника

кОм.

Так як активний елемент? кремнієвий транзистор, напруга між його базою і емітером рівних. Тоді напруга зсуву дорівнює

В.

Тоді опору, складові дільник ланцюга зміщення, рівні

кОм;

кОм.

Виберемо стандартні значення 5,6 кОм, кОм.

Визначимо крутизну

,

де з? постійна часу ланцюга зворотного зв'язку транзистора,? ємність колекторного переходу.

Еквівалентнаопір одно

.

Тоді

мА/В.

Приймемо коефіцієнт регенерації. Тоді

Ом.

Приймемо коефіцієнт зворотного зв'язку. Тоді реактивний опір

В 

де Ом.

Ом.

Знайдемо номінали конденсаторів С2 і С3. Як було зазначено раніше, С2 = С3, тоді

нФ.

Ємність блокувального конденсатора дорівнює

нФ.

Індуктивність блокувального дроселя дорівнює

мкГн.

Визначимо необхідність додаткового блокувального дроселя з умови

,

Умова виконана, значить додатковий блокувальний дросель не потрібен.

4.3 Енергетичний розрахунок

Визначимо використовувані в розрахунку коефіцієнти Берга і функції Бесселя. Вони рівні,,,. Амплітуда імпульсу колекторного струму становить

мама.

Амплітуда першої гармоніки колекторного струму

.

Амплітуда напруги на базі дорівнює

В.

Модуль коефіцієнта зворотного зв'язку дорівнює

.

Амплітуда напруги на колекторі становить

В

Потужність, споживана від джерела живлення дорівнює

мВт.

У резонаторі розсіюється потужність, що дорівнює

.

розсіюється на кварцовому резонаторі потужність менше допустимої 2МВт.

На транзисторі розсіюється потужність

мВт.

Оцінимо величину допустимого опору навантаження. Воно становить

.

5. Ðàñ ÷ åò íåñòàíäàðòíîé äåòàëè

Розрахуємо радіатор охолодження транзистора КТ948А вихідного каскаду. На цьому транзисторі розсіюється потужність Вт При цьому температура кристала транзистора не повинна перевищувати = 473К. Тепловий опір між кристалом і корпусом становить К/Вт Іншими складовими теп...