ії радіохвиль в приземному шарі атмосфери.
Висота локомотивної антени, наведена з урахуванням сферичності землі, розраховується за формулою:
, (5.2)
Напруженість поля в місці розташування локомотивної антени розраховується за квадратичної формулою Б.А. Введенського:
, (5.3)
де - потужність, яку випромінює антеною;
- коефіцієнт посилення найпростішої стаціонарної антени півхвильового вібратора;
Напруга на вході кабелю, що з'єднує локомотивні антену і приймач радіостанції розраховується за формулою:
, (5.4)
де - діюча висота локомотивного четвертьволнового вібратора;
- ЕРС, наведена в антені полем радіохвилі.
Напруга на вході локомотивного приймача радіостанції при довжині кабелю м розраховується за формулою:
, (5.5)
де - коефіцієнт загасання напруги в кабелі.
Розрахунок проведено для км, дані розрахунків для інших значень видалення зведені в таблицю 5.1.
;
м
м
В/м
В
В
Таблиця 5.1 - Дані для кривої наземного загасання напруженості поля радіохвилі
, км13571015202224252627 , М22, 97422,76822,35621,73720,42317,20112,69110,5268,1556 , 8925,5784,212 , М5, 9935,9395,8325,6715,3284,4873,3112,7462,1271,7981,4551,099 , мкВ/м3500037951317635, 4274,886,6526,5315,087,6075,0083,0321,603 , мкВ110001185411, 3198,485,8227,068 , 2854,712,3751,5640,9470,5 , мкВ96791, 056366,6176,876,4824,117,3844,1982,1171,3940,8440,446 span>
Крива наземного загасання напруженості поля радіохвилі, побудована за даними таблиці 5.1, зображена на малюнку 5.1.
В
Малюнок 5.1 - Крива наземного загасання напруженості поля радіохвилі
З графіка видно, що напруга 0,5 мкВ досягається на відстані 26,9 км.
6. Розрахунок підсилювача потужності радіочастоти
Основу технічного розрахунку транзисторного генератора з стороннім збудженням становить енергетичний розрахунок режиму транзистора. Розрахунок енергетики колекторної і базової ланцюгів підсилювача потужності високої частоти виробляється за спрощеною методикою. Вихідними даними для енергетичного розрахунку є основні технічні параметри, наведені в завданні, а також отримані в результаті попереднього розрахунку функціональної схеми. За цими даними проводиться вибір транзистора, внаслідок чого стають відомими наступні його параметри:,,,,,,,,,,,,,,,,,. p> Формули, використовувані в розрахунку, відповідають спрощеної еквівалентної схемою заміщення потужного транзистора, наведеної на малюнку 6.1. У цій схемі застосовані наступні позначення: - опір матеріалу тіла бази транзистора між висновком і р-n-переходом; - опір рекомбінації;...