е зображення) залишаються без змін. Головне, що ефект спостерігається, значить і гучно заявити про це можна. p align="justify"> На жаль, сучасний користувач В«розпещений мегапікселяміВ». Йому невтямки, що кожного разу при збільшенні дозволу розробникам В«класичнихВ» ПЗС-матриць доводиться вирішувати складне завдання щодо забезпечення прийнятного динамічного діапазону та чутливості сенсора. А ось В«рішенняВ» начебто переходу з прямокутною на октагонального форму пікселів пересічному фотолюбителеві здаються цілком зрозумілими і обгрунтованими-адже про це так доступно написано в рекламних буклетах ...
Мета даної статті - спробувати на найпростішому рівні пояснити, від чого залежить якість зображення, одержуваного на виході з ПЗС-матриці. При цьому від якості оптики абсолютно спокійно можна абстрагуватися-поява вже другий за рахунком В«дзеркалкиВ» вартістю менше 1000 доларів (Nikon D 70) дозволяє сподіватися, що подальше зростання дозволу сенсорів для камер прийнятною цінової категорії не обмежуватиметься В«мильнічнийВ» об'єктивами. br/>
.1 Внутрішній фотоефект
Отже, сформований об'єктивом зображення потрапляє на ПЗС-матрицю, тобто промені світла падають на світлочутливу поверхню ПЗС-елементів, завдання яких-перетворити енергію фотонів в електричний заряд. Відбувається це приблизно так. p align="justify"> Для фотона, що впав на ПЗС-елемент, є три варіанти розвитку подій-він або В«срікошетіруетВ» від поверхні, або буде поглинений в товщі напівпровідника (матеріалу матриці), або В«проб'є наскрізьВ» її В«робочу зону В». Очевидно, що від розробників потрібно створити такий сенсор, в якому втрати від В«рикошетуВ» і В«прострілу навилітВ» були б мінімізовані. Ті ж фотони, які були поглинені матрицею, утворюють пару електрон-дірка, якщо відбулося взаємодія з атомом кристалічної решітки напівпровідника, або ж тільки фотон (чи дірку), якщо взаємодія була з атомами донорних або акцепторних домішок, а обидва перерахованих явища називаються внутрішнім фотоефектом . Зрозуміло, внутрішнім фотоефектом робота сенсора не обмежується-необхідно зберегти В«які забралаВ» у напівпровідника носії заряду в спеціальному сховищі, а потім їх рахувати.
Елемент ПЗС-матриці
У загальному вигляді конструкція ПЗС-елемента виглядає так: кремнієва підкладка p - типу оснащується каналами з напівпровідника n-типу. Над каналами створюються електроди з полікристалічного кремнію з ізолюючою прошарком з оксиду кремнію. Після подачі на такий електрод електричного потенціалу, в збідненої зоні під каналом n-типу створюється потенційна яма , призначення якої-зберігати електрони. Фотон, що проникає в кремній, призводить до генерації електрона, який притягається потен...
