винен бути приблизно 3.10 15 см -3 , що відповідає питомій опору кремнію приблизно 3 Ом.см (див. рис. 2).
В
Рис. 2. Розраховані значення фактора заповнення ВАХ в залежності від рівня легування кремнію з урахуванням (суцільна лінія) та без урахування (пунктир) рекомбінаційних центрів поблизу забороненої зони. br/>
СПОСОБИ ПРИДУШЕННЯ ОСВІТИ ДЕФЕКТІВ, ВІДПОВІДАЛЬНИХ ЗА деградації ЧАСУ ЖИТТЯ
Моделі дефектообразования, викладені вище, дозволяють запропонувати ряд практичних методів для підвищення якості як самого легованого бором кремнію, вирощеного за Чохральскому, так і виготовляються на його основі сонячних елементів.
У роботі [7] запропоновано використовувати дві очевидні можливості: кремній р-типу провідності з іншим легирующим елементом (наприклад, галієм) або кремній n-типу провідності. Однак реалізація цих можливостей для виготовлення комерційних сонячних елементів здалася авторам сумнівною, тому що фотовольтаїчні індустрія повністю орієнтована на використання 1 Ом.см легованого бором кремнію по Чохральскому. Тим не менш, автори [7] вважають за можливе переорієнтацію промисловості на використання легованого фосфором кремнію по Чохральскому, що має високий час життя носіїв. p align="justify"> Іншими можливостями, які можуть бути реалізовані з меншими витратами у виробництві комерційних сонячних елементів, є наступні [7]:
зменшення концентрації бору, тобто використання пластин з великим питомим опором (приблизно 10 Ом.см замість 1 Ом.см), і використання поля тильного контакту в СЕ;
зменшення концентрації кисню під час вирощування кристала (покриття нітридом кремнію стінок тигля) або за рахунок наступних обробок;
використання пластин з низьким питомим опором (приблизно 0,1 Ом.см). Подальша перевірка цієї пропозиції в роботі [8] показала його помилковість, тобто підтвердилося положення загальноприйнятої моделі: зі збільшенням ступеня легування підкладки бором деградація характеристик сонячних елементів посилюється.
У роботі [8] на підставі проведених досліджень запропонували свої шляхи зниження деградації часу життя. Ці пропозиції схематично представлені на рис. 3. br/>
Зменшення концентрації атомів межузельного кіслородаВиращіваніе кремнію по Чохральскому в магнітному поле24, 5% Легований галієм кремній по Чохральскому22, 5% Заміна або зменшення концентрації бораКремній n-типу провідності по ЧохральскомуЛегірованний бором кремній по Чохральскому з більш високим уд. сопротівленіем22, 0% (7 Ом.см) Оптимізація процессаСніженіе щільності дефектів у 2-3 раза19, 7% (1 Ом.см) Рис. 3. Схематичне уявленн...
