овується, так як на середніх і високих частотах воно шунтируется конденсатором.
Включення в емітерний ланцюг резистора створює негативний зворотний зв'язок (ООС) по постійному струму, яка стабілізує струм у зазначеній ланцюга, а отже положення точки спокою при різних збурюючих впливах, обумовлених коливаннями температури навколишнього середовища, нестабільністю напруги джерела живлення, змінами параметрів елементів схеми та іншими факторами. Принцип дії ООС полягає в наступному - з ростом емітерного струму зростає падіння напруги на, це призводить до збільшення потенціалу емітера щодо загальної точки при незмінному потенціалі бази, заданих резистивним дільником напруги і, в результаті зменшується різниця потенціалів база-емітер, що перешкоджає зростанню базової та емітерного струмів. Із збільшенням зростає ефективність дії ООС і підвищується стабільність роботи каскаду, проте збільшуються втрати енергії в схемі [1].
Конденсатор С3 шунтирует резистор R7 по змінному струму, виключаючи тим самим прояв ООС в каскаді по змінним складовим. Відсутність конденсатора С3 призвело б до зменшення коефіцієнтів підсилення. Резистор R6 , включений у колекторний ланцюг транзистора VT2 , створює змінюється напруга у вихідний ланцюга.
Попередній і предоконечний каскади. Попередній каскад виконаний на транзисторі VT2 за схемою з ОЕ. Даний каскад широко застосовується для посилення електричних сигналів по струму, напрузі та потужності. На рис.2.2. приведена принципова схема підсилювача ОЕ, в якому емітерний висновок транзистора є загальним в ланцюзі змінного струму для вхідного і вихідного сигналів.
Основним елементом каскаду є біполярний транзистор VT2 . У його базової ланцюга протікає струм від джерела сигналу щодо малої величини, який управляє в b раз великим струмом колектора і в раз великим струмом емітера, де - диференційний коефіцієнт посилення транзистора по струму. Значення b може змінюватися для різних типів транзисторів від десятків до сотень. Іншою властивістю транзистора, що забезпечує посилення напруги вхідного сигналу, є високий опір його колекторного переходу. Тому в схемі заміщення підсилювального каскаду колекторна ланцюг транзистора відображається керованим джерелом заданого струму з внутрішнім опором, рівним для схеми з загальним емітером декільком десяткам кОм [1].
Якщо знехтувати впливом конденсаторів, і в діапазоні середніх частот, то зі збільшенням опору до певного значення, при якому дотримується нерівність, не відбудеться істотного зниження колекторного струму сигналу. Це призведе до збільшення падіння напруги сигналу на цьому опорі і відповідно до зростання коефіцієнта посилення каскаду по напрузі.
У схемі заміщення - ємність колекторного переходу,=100? 400 Ом відображає об'ємний опір бази біполярного транзистора, »25 Ом - диференціальний опір емітерного переходу, = | | - опір резистивного дільника по змінному струмі.
При аналізі роботи принципової схеми слід мати на увазі, що транзистор можна представити як кероване вхідним сигналом лінійне еквівалентний опір щодо висновків колектор-емітер. Утворений дільник напруги живлення з опорів і забезпечує зміна напруги на колекторі за законом вхідного сигналу, тобто енергія джерела живлення перетвориться в енергію вихідного сигналу. Опір резистора тут не враховується...
