БО, вхідних і виходних- підсилювачів і программирующую частина з адресних формувачів FA1-, FA2 і дешифратора DC PR.
Малюнок 21. Функціональна схема ПЛМ
Основу ПЛМ (рис. 21) складають матриці І та АБО. Матриця І виконує операції кон'юнкції над 16 вхідними змінними і їх інверсними значеннями, які надходять на рядкові шини матриці. Необхідні логічні твори формують на шинах стовпців шляхом випалювання непотрібних перемичок між рядками і стовпцями (на рис. 21.) залишені перемички вказані крапками). Число стовпців 48, отже, на виході матриці І можна отримати до 48 логічних творів, в кожне з яких може входити до 16 змінних і їх інверсій. Матриця АБО виконує операцію диз'юнкції над логічними творами, сформованими матрицею І Число виходів цієї матриці 8, тому вона здатна сформувати до восьми логічних сум, у кожну з яких може входити до 48 логічних творів. Таким чином, можливості ПЛМ характеризуються числом .точек комутації, рівним в даному прикладі 1920. Програмування матриці АБО виконується так само, як і матриці І, шляхом випалювання «непотрібних» перемичок. На виходах матриці або розмір програмовані підсилювачі, які залежно від стану перемички можуть передавати значення вихідної функції в прямій або інверсної формі подання.
Для програмування служать вбудовані в мікросхему вузли програмуючою частини, які збуджують дозволяючий сигнал PR. Програмування здійснюють способом, аналогічним програмуванню ППЗУ, в три етапи: спочатку, програмують матрицю І, потім матрицю АБО і вихідні інвертори.
Широко застосовують ПЛМ, програмовані за способом замовного фотошаблона на заводі-виробнику. Такі ПЛМ є різновидом масочний ПЗУ. Вони включені, зокрема, до складу багатьох мікропроцесорних комплектів в якості ПЗУ мікрокоманд. На основі ПЛМ можна будувати самі різні цифрові пристрої як комбінаційного, так і послідовних типів.
Як зазначалося раніше, мікросхеми ППЗУ споживають велику потужність від джерела живлення. Тому видається доцільним використовувати їх властивість працювати в режимі імпульсного живлення, коли живлення на мікросхему подають тільки при зверненні до неї для зчитування інформації Особливості застосування мікросхем ППЗУ в цьому режимі складаються в следующем- по-перше, на керуючі входи повинні бути подані рівні, що дозволяють доступ до мікросхеме- якщо необхідний 0, то даний висновок з'єднують із загальним висновком, якщо 1, то з шиною U «через резистор з опором 1 кОм, в цьому випадку функції сигналу вибору мікросхеми виконує імпульс напруги живлення Ucc. по-друге, для забезпечення режиму імпульсного живлення застосовують транзисторні ключі, на переходах яких падає частина напруг, тому напруга, що подається до зовнішніх ключам, повинно бути вибрано з урахуванням вимоги мати на виведенні живлення мікросхеми номінальну напругу 5 В, по-третє, з-за інерційності процесів комутації ланцюга живлення час вибірки адреси мікросхеми збільшується в 2-3 рази.
При використанні імпульсного режиму харчування середнє значення споживаного струму і, отже, рівень споживаної потужності істотно зменшуються.
Постійно запам'ятовуючі пристрої (ПЗУ) регістрового типу
Мікросхеми РПЗУ
Основна відмітна особливість мікросхем РПЗУ полягає в їх здатності до багаторазового (від 100 до 10 тис.) перепрограмуванню самим користувачем. Ця властивість мікросхем забезпечено застосуванням ЕП з властивостями керованих «перемичок», функції яких виконують транзистори зі структурою МНОП (метал А1-нітрид кремнію SJ3N4 - окисел кремнію SiCb - напівпровідник Si) і транзистори p-МОП з плаваючим затвором (ПЗ) з використанням механізму лавинної інжекції заряду ЛІЗМОП.
Всю номенклатуру мікросхем РПЗУ можна розділити на дві групи: РПЗУ із записом і стиранням електричними сигналами (група ЕС) і РПЗУ із записом електричними сигналами і стиранням ультрафіолетовим випромінюванням (група УФ). Характеристики мікросхем РПЗУ найбільш популярних серій наведено в табл. 3, а розводка їх висновків - на рис. 22.
Мікросхеми РПЗУ-ЕС містять ЕП типу МНОП (К558, К1601) і ЛІЗМОП з подвійним затвором (К573РР2, К1609РР1 та ін.). Мікросхеми РПЗУ-УФ мають ЕП типу ЛІЗМОП з подвійним затвором, що відрізняються від аналогічних структур в групі РПЗУ-ЕС тим, що вимагають для стирання УФ опромінення.
Елемент пам'яті зі структурою МНОП являє собою МДП-транзистор з індукованим каналом р-типу (рис. 4.9, а) або n-типу, що має двуслойний діелектрик під затвором. Верхній шар формують з нітриду кремнію, нижній - з оксиду кремнію, причому нижній шар значно тонше верхнього.
Таблиця 3. Мікросхеми РПЗУ
Якщо до затвору щодо підкладки докласти імпульс напруги позитивної полярності з амплітудою 30 .......
