за формулою:
.
Задамо Rос і R1 самі, щоб забезпечити максимальний коефіцієнт підсилення КU=155,6, тобто , Тоді, тобто Rос=156,6R1.
Задамо R1=300 Ом, тоді Rос=156,6 · 300=46980Ом.
Номінальне значення Rос=47кОм.
Приймемо опору резисторів плечей дільника рівними кОм.
Для регулювання коефіцієнта посилення використовуємо построечний резистор в колі зворотного зв'язку, включений послідовно з постійним резистором.
Вхідний опір каскаду при инвертирующем включенні одно: 300Ом.
Зробимо розрахунок розділових конденсаторів:
мкФ (див. п.2.2.).
де R ЕП=130,4 Ом - вхідний опір вихідного каскаду (ЕП).
R Г=25 кОм
У результаті розрахунків отримуємо схему УНЧ на ОУ з такими номіналами (Додаток рис.2). Тепер можна приступити до визначення розмірів друкованої плати.
3. Вибір оптимального варіанту
Площа друкованої плати транзисторного варіанта підсилювача більше варіанта на ІМС, число елементів приблизно в три рази більше у варіанту друкованої плати на транзисторах.
Отже, варіант підсилювача на ІМС переважне у зв'язку його простоти при однакових параметрах підсилювачів.
Накреслимо плату в зборі підсилювача низької частоти на інтегральних мікросхемах
Висновок
У результаті розрахунків були отримані два варіанти реалізації схеми підсилювача систем автоматики із заданим коефіцієнтом посилення К 0=140 (так само, забезпечений запас щодо посилення в обох варіантах). Транзисторна схема складається з п'яти каскадів, причому коефіцієнт підсилення кожного не перевищує 15, що, цілком відповідає попереднім розрахунком підсилювача, при цьому вихідним є емітерний повторювач. При меншій кількості каскадів посилення деяких з них доведеться робити значно більшим, що може вплинути на стійкість, вона може різко впасти і привести до самозбудження.
У результаті порівняння габаритів друкованих плат, ми з'ясували, що оптимальним варіантом є підсилювач із застосуванням ІМС. Такий висновок напрошується внаслідок простий, а головне дешевої реалізації, і витрат мінімуму часу на розрахунок і фізичне виготовлення.
підсилювальний транзистор опір
Література
Проектування підсилювальних пристроїв на транзисторах: Навчальний посібник для вузів/Г.В. Войшвилло, В.І. Караванів та ін. Під ред. Г.В. Вайшвілло.- М .: Зв'язок, 1972. - 184с.
Мамонкин І.Г. Підсилювальні пристрої.- 2-е ізд.перераб. і доп.- М .: Связь, 1977. - 360с
Проектування підсилювальних пристроїв. Під редакцією Н.В. Терпугова.- М .: Вища школа, 1982.
Мікросхеми для побутової радіоапаратури. Довідник.- М .: Радіо і зв'язок, 1989.
Додаток
Рис. 1. СЕП 5 каскадного УНЧ на транзисторах
Рис. 2. СЕП УНЧ на ОУ
