варіював від однієї до 23 вибрисс. Близько 11% нейронів, що відносяться, переважно, до шару 4, мали одновібріссние РП. Амплітудні пороги у цих нейронів були найбільш низькими - від 3 до 15 мкм, при середньому значенні 5,3 +0,7 мкм.
Рис. 2. РП нейронів різних рівнів бочонковой колонки С1.
Нейрони поверхневих (2-3) і глибоких (5-6) шарів мали многовібріссние РП, які завжди були суцільними. У 23% нейронів РП мали витягнуту, найчастіше вздовж, але іноді і впоперек вібрісскових рядів, форму. В останньому випадку кут нахилу РП до рядів вибрисс варіював у різних нейронів, але найчастіше був прямим. Однорідну структуру РП з on-off-відповідями мали 31%, а з on-відповідями - 8% нейронів. Більшість нейронів мали неоднорідні РП: з on-off-відповідями в центрі і з оn-відповідями по краю - 23%, а з on-off-центром і off-краєм - 38% нейронів. При цьому у 70% нейронів центр РП розташовувався ексцентрично, тобто перебував поблизу краю В-зони РП. Середні значення амплітудних порогів у нейронів з многовібрісснимі РП були достовірно (Р <0,01) вище, ніж у одновібріссних: на рівні поверхневих шарів - 9,4 +0,3 мкм, а в глибоких шарах - 13,0 +0,8 мкм. Нейрони, РП яких перекривали майже всі контралатеральное поле вибрисс, мали амплітудні пороги близько 30 мкм.
РП нейронів, що належать одній і тій же бочонковой колонці, істотно перекривалися. Центри РП даної вибірки нейронів завжди збігалися, оскільки це було вихідною передумовою для віднесення реєстрованих нейронів до бочонковой колонці С3. Накладенням картірованних РП проведена кількісна оцінка ступеня їх перекриття у всій вибірці нейронів, що представляють колонку С3 (рис.2, б). Аналіз показав, що всі вибрисси контралатеральної сторони в тій чи іншій мірі адресовані нейронам даної колонки. При цьому ступінь перекриття РП градуально зменшилася до країв вібрісскового поля до 5%. Однак, підзона з більш ніж 50-процентним перекриттям РП, заштрихована на рис.2б, мала симетричну і витягнуту уздовж ряду З форму. Таким чином, сумарне РП нейрональної колонки С3 орієнтоване уздовж однойменного ряду вибрисс, в площині якого вчиняються їх обмацують руху, і має значне перекриття з РП нейронів сусідніх бочонкових колонок цього, а також верхнього і нижнього рядів.
На рис.2, в в Як приклад більш загальної закономірності показано подовження ЛП, зменшення частоти первинного розряду, а також перебудова структури В-реакції нейрона, зареєстрованого на рівні шару 4, при почергової стимуляції вибрисс, віддалених на всі більшій відстані від центру РП. У середньому по вибірці (N = 52) ЛП при зміщенні стимулу від центру на периферію зменшувався з 9,0 +0,3 мс до 19,1 +1,2 мс. Зменшувалася при цьому також і частота первинного розряду в перші 50 мс після відмітки стимулу з 132 +21 імп/с до 41 +8 імп/с. Все це в сукупності свідчить про зменшення функціональної ефективності синаптичних впливів на колонку у напрямку до периферії РП її нейронів.
На рис.1, б показана структура В-зони РП ...
