трони з енергією близько 10 кеВ, які падають на поверхню під ковзаючим кутом близько 1 градуса. Потім електрони відбиваються від неї, падають на екран з фосфорним покриттям і утворюють тут наступні 3 об'єкта: 1) дифракційний візерунок з світяться плям, 2) пляма дзеркального відображення пучка від поверхні підкладки, і 3) яскрава пляма від електронів первинного пучка, зовсім миновавших підкладку . Зображення з екрану далі записується на відеокамеру для запису всієї картини або для стеження за зміною в часі інтенсивності світіння одного з дифракційних плям. br/>В
Малюнок 2.3.2 - Картина, отримана ДБЕ
З виду дифракційної картини ДБЕ роблять якісні висновки про стан поверхні. Якщо поверхня монокристалічна і гладка, то картина складається із смуг, перпендикулярних поверхні підкладки (малюнок 2.3.2). При порушенні гладкості поверхні ці смуги розбиваються на окремі плями і тьмяніють. Аморфна поверхню, наприклад, шар оксиду, дає туманний розмиття замість дифракційної картини. Полікристалічного поверхня дає дифракційну картину, що складається з кілець, окружаюшіх пляма первинного пучка. p align="justify"> Крім якісних висновків про стан поверхні дифракційна картина містить і кількісні дані про зміну параметра кристалічної решітки в ході росту шарів. Наприклад, таким способом було виміряно 4% неузгодженість параметрів решіток Ge і Si при епітаксиальні зростанні напружених суцільних і острівцевих плівок GexSi1-x на підкладках Si (100) [2]. br/>
.4 ПІДГОТОВКА підкладки
Вирощування високоякісних епітаксійних шарів методом МЛЕ вимагає ретельності у підготовці підкладок, оскільки, як правило, не використовується очищення поверхні в самій камері зростання, за винятком видалення окисних шарів [5].
Створення плівки можна проводити на підкладках різної структури, орієнтації і хімічного складу. При виборі матеріалів першочергова увага приділяється постійній грат. Джерелом деформації так само є коефіцієнт температурного розширення, оскільки плівки вирощуються при великих температурах. При охолодженні до кімнатної температури можуть виникнути різні дислокації і дефекти. Так само, щільноупаковані площині мають низьку поверхневу енергію, що сприяє десорбції атомів з поверхні, сповільнюючи темпи зростання загрожених матеріалів [6]. p align="justify"> Для епітаксійного росту потрібна атомарне висока чистота вихідної підкладки, тому що атоми домішки з атмосфери або іншого джерела легко з'єднуються з підкладкою і або створюють дефекти кристалічної структури, або погіршують оптичні та електричні властивості зростаючого епітаксійного шару. Для контролю чистоти підкладки застосовується електронна оже-спектроскопія. Зараз виробники підкладок поставляють чисті підкладки, готові до епітаксійних зростанню і захищені шаром оксиду, вирощеного в ретельно контрольованою окисної атмосфері. Цей захисний окісний шар віддаляється з підкладк...
