рані виходячи з
U R6 + U R7 < span align = "justify"> = 1B * 3 - 2 * 0,6 B = 1,8 B
В
3)
В
Нехай R8 = 750 Ом, тоді I VT5 = 20 мВ
В якості VT5 узятий КТ501К (pnp U КБО = 45 В, I Кmax = 300 мА, b = 180)
) U R2 = U ЕБ VT5 = 0.6В Нехай I VT1 = 20мА, тоді
В
5) Так як. I VT1 = I VT2 = 10 mA, то струм, що виробляється В«струмовим дзеркаломВ» на транзисторах VT3, VT4 дорівнює 20 мА.
В
VT1, VT2, VT3, VT4 вибираємо у вигляді транзисторної збірки КТС613Г для якої (U КБО = 40 В, I Кmax = 400 мА, b = 200)
)
U ЕБ1 = I Б1 < span align = "justify"> * R1 = 0,6 B; тоді .
7) Т.к. ДК симетричний, то на U ЕБ2 також падає 0,6 В.
Тоді R3 = R4 = 12кОм
Розрахунок по змінної складової
1) при розімкнутому ООС:
K U = K 1 < span align = "justify"> K 2 K 3 ;
K 1 - коефіцієнт посилення ДК;
K 2 - коефіцієнт посилення ОЕ;
K 3 - коефіцієнт посилення двотактного емітерного повторювача.
, ;
