,5 В, п? 8мА, вх? 35 В, вих = 1,5 А.
Т.к. Iвих = 1,5 А, а Iнm = 2.45 А, то використовуємо схему з підвищеним вхідним струмом (транзистор VT10 (pnp) для каналу E + і VT11 (npn) для каналу E-). p align="justify"> Вхідна (випрямлена) напруга стабілізатора вибирають з умови:
Uв1 = Uвх1 = (Uвих1 + Uмін + Uбе) Г— (1 + Кн + Кп) = (9 +2,5 +1)? (1 +0.1 +0.1) = 15В (7.1)
Транзистори VT10 і VT11 вибираємо за наступними гранично-допустимим параметрам:
(7.2)
(7.3)
(7.4)
Вибираємо комплементарних пару npn і pnp транзисторів [5], мають близькі параметри:
VT10: КТ818А (pnp);: КТ819А (npn). br/>
Параметри обраних транзисторів:
В В В В В В
Розрахуємо площу тепловідведення для транзистора VT10.
Загальне тепловий опір:
, (7.5)
(7.6)
. (7.7)
Так як параметри VT10 і VT11 однакові, то площа тепловідведення транзистора VT11 дорівнює 61.365 см2.
Сумарна площа теплоотводов для двох транзисторів:
(7.8)
Резистор R16 вибирається з умови:
(7.9)
де Iпст - струм споживання стабілізатора DA1. p align="justify"> Вибираємо резистори R16 і R17 [1]:
R16, R17: МЛТ-0 ,25-20ом В± 1%
Вибираємо конденсатори С5 - С8 [1]:
С5, С6: К53-14-16 В - 0,33 мкФ 10%;, С8: К53-14-10 В - 1 мкФ 10%.
Для живлення каналів U + і U-вибираємо інтегральний стабілізатор DA6 і DA7 [8]: КР1180ЕН15.
В
Рис. 7.2 - Схема включення інтегрального стабілізатора КР1180ЕН15
Параметри обраного інтегрального стабілізатора:
U вих = 15 В± 0.3 В, мін = 2,5 В, п? 8мА, вх? 35 В, вих = 1,5 А.
Вхідна (випрямлена) напруга стабілізатора вибирають з умови:
Uв2 = Uвх2 = (Uвих2 + Uмін) Г— (1 + Кн + Кп) = (15 +2.5 )? (1 +0.1 +0.1) = 21В (7.10)
Вибираємо конденсатори С11-С14 [1]:
С11...
