Зміст
1. Знайдіть і запишіть граничні експлуатаційні параметри напівпровідникового приладу КД409А
2. Знайдіть напруга пробою транзистора: ГТ405Б
3. Провести електричний розрахунок схеми автоколебательного симетричного мультивібратора
4. Напівпровідникові діоди: випрямні, стабілітрони, тунельні, фотодіоди, світлодіоди, варикапи. Конструкція, основні характеристики і параметри, умовні позначення
Список використаної літератури
1. Знайдіть і запишіть граничні експлуатаційні параметри напівпровідникового приладу КД409А
Напівпровідниковий прилад КД409А є імпульсним діодом кремнієвим епітаксіальним. Випускаються в пластмасовому корпусі з гнучкими висновками (малюнок 1).
Рисунок 1 - Конструкція діода КД409А
Імпульсним напівпровідниковим діодом називається напівпровідниковий діод, має малу тривалість перехідних процесів, призначений для застосування в імпульсних режимах роботи.
Граничні експлуатаційні параметри діода КД409А:
. Постійне чи імпульсна зворотна напруга 24В.
2. Постійний або середній прямий струм при температурі:
від 213 до 308 К 50 мА,
при 373 К 25 мА.
. Імпульсний прямий струм при? і? 10 мкс і шпаруватості,
більшою або рівною 10, за температури:
від 213 до 308 К 500 мА
при 373 К 250 мА
. Температура навколишнього середовища: від 213 до 373К.
2. Знайдіть напруга пробою транзистора: ГТ405Б
Транзистор ГТ405Б є германієвих сплавним pnp підсилювальним низькочастотним малопотужним транзистором. Цей транзистор призначений для роботи в схемах вихідних каскадів підсилювачів низької частоти.
Граничні експлуатаційні дані:
Постійна напруга колектор-емітер при R ЕБ? 200 Ом при
Т К=233? 328 К - 25 В
Постійний струм колектора при
Т К=233? 328 К - 0,5 А
Постійна розсіює потужність транзистора при
Т К=233? 298 К - 0,6 Вт
Температура переходу - 358 К
Тепловий опір перехід-середу 0,1 До/мВт
Температура корпусу - від 233 до 328 К
Напруга пробою переходу база-емітер U БЕ0. проб. пошкоджує емітерний перехід в області замикання. Майже у всіх транзисторів U БЕ0. проб. ? 5.7 В, при цьому U БЕ0. проб. є мінімальним граничним напруженням.
Транзистори рідко використовуються при негативному напрузі переходу база-емітер, і тому названий параметр має другорядне значення.
напівпровідниковий прилад діод напруга
Напруга лавинного пробою переходу база-колектор U БК0. проб пошкоджує колекторний перехід в області замикання. Оскільки в активному режимі колекторний перехід закритий, U БК0. проб визначає важливе для практики максимальна напруга між колектором і базою. У низьковольтних транзисторів U БК0. проб? 20.80 В.
Максимально допустима напруга на ділянці колектор-емітер особливо важливо для практичної роботи. При певній напрузі між колектором і емітером виникає пробій, внаслідок чого струм колектора різко зростає і, як правило, транзистор руйнується.
Для транзистора ГТ405Б - U КЕ0проб=25 В.
3. Провести електричний розрахунок схеми автоколебательного симетричного мультивібратора
Вихідні дані: тип транзисторів VT1 і VT2 - КТ681
Необхідно розрахувати: EK max, f max, U m, R К, R Б (при?=100), T, t І; С1, С2
Результатом роботи є:
Розрахунки;
Схема мультивібратора;
Тимчасова діаграма роботи схеми U вих (t), що містить не менше двох періодів з розрахованими характеристиками.
Рішення:
Мультивібратори відносяться до класу вузлів імпульсної техніки, призначених для генерування періодичної послідовності імпульсів напруги прямокутної форми з необхідними параметрами (амплітудою, тривалістю, частотою проходження та ін.).
Мультивібратори працюють у режимі самозбудження: для формування імпульсного сигналу в мультивібраторах не вимагається зовнішній вплив, наприклад подача вхідних сигналів. Процес отримання ...
