Міністерство освіти і науки Російської Федерації
Федеральне державне бюджетне освітня установа
вищої професійної освіти
«Володимирський державний університет імені Олександра Григоровича і Миколи Григоровича Столєтова»
(ВлГУ)
Кафедра «Електротехніки та електроенергетики»
Реферат
З дисципліни: «ІІТ та електроніка»
Тиристори
Виконала
Студент гр.зЕЕс - 211
Мошкова М.С.
Прийняв
Проф.Шахнін В.А.
Владимир +2014
Зміст
Пристрій, принцип роботи, позначення діодних і тріодних тиристорів
Вольт-амперні характеристики діодних і тріодних тиристорів
Включення тріодних тиристорів постійним і імпульсним струмами
Включення тріністоров в ланцюгах постійного струму
Схема кодового замка
Список літератури
тиристор струм амперний
. Пристрій, принцип роботи, позначення діодних і тріодних тиристорів
Прилади з чотиришаровій структурою р-п-р-п являють собою один з видів численного сімейства напівпровідникових приладів, властивості яких визначаються наявністю в товщі напівпровідникової пластини суміжних шарів з різними типами провідності. Основу такого приладу складає кремнієва пластина, що має чотиришарову структуру, в якій чергуються шари з доречний р та електронної n проводимостями (рис. La) Ці чотири шари утворюють три р-п переходу J1, J2, J3. Висновки в приладах з чотиришаровій структурою робляться від двох крайніх областей (р і n), а в більшості приладів - і від внутрішньої області р.
Крайню область р структури, до якої підключається позитивний полюс джерела живлення, прийнято називати анодом A, крайню область n, до якої підключається негативний полюс цього джерела -катодом К, а висновок від внутрішньої області р-керуючим електродом УЕ. Природно, що для напівпровідникового приладу такі визначення носять умовний характер, проте вони отримали широке поширення за аналогією з тиратронами і ними зручно користуватися при описі схем з цими приладами.
Згідно ГОСТ 15133-77 все переключають напівпровідникові прилади з двома стійкими станами, що мають три або більше р-п переходу, на
Напівпровідниковий прилад з чотиришаровій структурою може бути моделирован комбінацією двох звичайних транзисторів з різними типами провідності (ріс.1.б.в); VT1соструктурой pn-pi і VT2 соструктурамі п-р-п.У транзистора VT1 перехід J1 є емітерний, а перехід J2 колекторним, у транзистора УТ2 емітерним служить перехід J3, а колекторним J2, таким чином, обидва транзистора мають загальний колекторний перехід J2 (рис. 1.б). Крайні області чотиришаровій напівпровідникової структури є емітерами, а внутрішні-базами і колекторами складових транзисторів VT1і VT2.
База і колектор транзистора VT`соедіняются відповідно з колектором і базою транзистора VT2, утворюючи ланцюг внутрішньої позитивного зворотного зв'язку (рис. 1.б.в). Дійсно, з рис. l.в видно, що колекторний струм Ik1
транзистора VT1одновременно є базовим струмом Iб2, який відмикає транзистор VT2, а колекторний струм Ik2 останнього - базовим струмом Iб1, який відмикає транзистор VT1, т. е. база кожного транзистора харчується колекторним струмом іншого транзистора.
2. Вольт-амперні характеристики діодних і тріодних тиристорів
Режим роботи динисторов і тріністоров добре ілюструється їх статичними вольт-амперними характеристиками, з яких можна отримати уявлення про основні параметри цих приладів. На рис. 2, а наведена типова вольт-амперна характеристика діністора. Тут по горизонтальній осі відкладено напругу і між його анодом і катодом (анодна напруга), а по вертикальній - струм I, що протікає через прилад. Область характеристики при позитивних анодних напругах утворює пряму гілка, а при негативних - зворотний гілка характеристики. На характеристиці можна виділити чотири ділянки, позначені на рис. 2, a арабськими цифрами, кожен з яких відповідає особливому стану чотиришаровій напівпровідникової структури.
Участок 1 характеристики відповідає закритому стану (в прямому напрямку) діністора. На цій ділянці через динистор протікає невеликий струм Iзс - струм приладу в закритому стані. У закритому стані опір проміжку анод-катод приладу велика і обернено пропорційно значенням струму Iзс. У ме...
