МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ
Київський інститут бізнесу и технологий
Вінницька філія
Кафедра фундаментальних дисциплін
Курсова робота
на тему: «Принцип Дії и режими роботи біполярного транзистора»
Виконала:
студент 3 курсу
групи 02.13 КСМ (2,5д)
Яремчук Андрій Михайлович
Вінниця - 2014 рік
Зміст
Вступ
Розділ 1. Загальні Відомості про біполярні транзистори
.1 Будова біполярного транзистора
.2 Принцип Дії
.3 Класифікація
Розділ 2. Схеми включення біполярніх транзісторів
.1 Режими біполярніх транзісторів
.2 Статічні характеристики
.3 Діференційні параметри транзісторів
Розділ 3. Основні параметри
.1 Режими роботи транзистора
.2 Найпростішій підсілювальній каскад на біполярному транзісторі
.3 Розрахунок електричних ланцюгів з біполярнімі транзисторами
.4 Власні шуми в транзисторах
Висновок
Список використаної літератури
Вступ
Біполярній транзистор вінайшлі в 1947 году Джон Бардін и Волтер Браттейн під керівніцтвом Шоклі Із Bell Labs, за що отримавших Нобелівську премию по физике. Вперше его продемонструвалі 16 грудня, а 23 грудня відбулось офіційне представлення Винаходи и самє ця дата вважається днем ??Відкриття транзистора.
Мета даної курсової роботи Полягає в закріпленні знань, отриманий при вівченні дисципліни «Основи схемотехнікі», в отриманні досвіду розробки и розрахунку основних характеристик підсілювальніх каскадів, а такоже в актівізації Самостійної навчальної роботи, в розвитку умінь Виконувати інформаційний поиск, користуватись довідковою літературою, візначаті параметри и еквівалентні схеми біполярніх и польових транзісторів, отрімуваті різнобічне уявлення про конкретні Електрон елементах.
У ході виконан курсової роботи для заданого типу транзистора визначаються параметри и статічні характеристики, в відповідності зі схемою включення и величинами елементів схеми підсілювального каскаду вібірається положення режиму СПОК, для которого розраховуються величини елементів еквівалентніх схем транзистора и мало сігнальні параметри транзистора, графоаналітічнім методом визначаються параметри підсілювального каскаду.
Розділ 1. Загальні Відомості про біполярні транзистори
Бiполярній транзистор - це напівпровідніковій елемент електронної техніки, Який дозволяє Керувати Струмило, что протікає через него, с помощью прікладеної до Додатковий електрода напруги.
транзистори є Основними елементами сучасної електроніки. Зазвічай смороду застосовуються в підсілювачах и логічніх електронною схеми.
У мікросхемах в єдиний функціональній блок об'єднані тісячі ї Мільйони ОКРЕМЕ транзісторів.
Найбільш пошірені транзистори з двома np-переходами, звані біполярнімі, оскількі їх робота заснован на вікорістанні носіїв заряду обох знаків.
Перші транзистори були Точковой, альо смороду працювать недостатньо стійко. У Сейчас годину виготовляють и застосовуються Виключно площінні транзистори.
1.1 Будова біполярного транзистора
На малюнку 1.1 схематично показана будова біполярного транзистора NPN типу. Колектором служити напівпровіднік n-типу, легованих донорами до невісокої концентрації 13 жовтня - 10 15 см? 3.
Рис.1.1 - Поперечний розріз транзистора
Перед створеня бази напівпровіднік покрівають фоторезистом и задопомогою літографії звільняють вікно для легування акцепторами. Атомі акцептора діфундують в глибино напівпровідніка, створюючі область Із доволі скроню концентрацією - 10 17 - 10 18 см? 3.
На третьому етапі знову створюється вікно для легування донорами й утворюють емітер Із ще віщою концентрацією домішок, необхідною для того, щоб спочатку компенсуваті акцептором, а потім создать напівпровіднік n-типу.
Відношення домішок у емітері ї у базі винне буті якомога більшім для забезпечення гарних характеристик транзистора.
Ще кращих характеристик можна досягті, если Переход между базою ї емітером сделать гетеропереходів, у якому емітер має набагато більшу ширину забороненої зони, хоча це и збільшує собівартість транзистора. У такому випадка на поверхню бази через вікно на...
