пілюється Інша Речовини.
1.2 Принцип Дії
Дія біполярного транзистора базується на вікорістанні двох pn переходів между базою та емітером и базою та колектором. У області pn переходів вінікають шари просторова заряду, между Якими лежить тонка нейтральна база. Если между базою ї емітером создать напругу в прямому напрямку, то носії заряду інжектуються в базу ї діфундують до колектора.
Оскількі смороду є неосновними носіями в базі, то легко пронікають через pn Переход между базою ї колектором. База віготовляється достаточно показуючи тонкою щоб носії заряд не встіглі прорекомбінуваті, створі Значний струм бази. Если между базою ї емітером прікласті запірну напругу, то струм через ділянку колектор-емітер НЕ протікатіме.
1.3 Класифікація
транзистори класіфікуються за віхіднім матеріалом, розсіюваною потужністю, діапазоном робочих частот, принципом Дії.
У залежності від вихідного матеріалу їх поділяють на две групи: германієві та кремнієві. За діапазоном робочих частот їх ділять на транзистори низьких, Середніх та високих частот, за потужністю - на класи транзісторів малої, середньої та Великої потужності.
транзистори малої потужності ділять на Шість груп: підсилювачі низьких и високих частот, малошумні підсилювачі, перемікачі насічені, ненасічені та малого Струму; транзистори Великої потужності - на три групи: підсилювачі, генератори, перемікачі.
За технологічними ознакой розрізняють сплавні, сплавно-діфузійні, діфузійно-сплавні, конверсійні, епітаксіальні, планарні, епітаксіально-планарні транзистори.
Позначення типу транзистора
Позначення типу транзистора встановл галузевого стандартом ОСТ 11 336.919-81. Перший елемент позначає вихідний материал Із которого виготовленя транзистор: германій чі его сполуки - Г, Кремній або его сполуки - К, сполукігалію - А. Другий елемент - підклас напівпровіднікового приладнати. Для біполярніх транзісторів іншим елементом є літера Т. Третій елемент - призначення приладнав (таблиця). Четвертий елемент - число від 01 до 99, что позначає порядковий номер розробки типом приладнати. Допускається трізначній номер - від 101 до 999, если номер розробки перевіщує 99. П'ятий елемент Позначення - літера алфавіту, что візначає класіфікацію за параметрами приладів, виготовлення за єдінімі технологіямі.
Таблиця 1 Третій елемент Позначення транзісторів
Підклас транзісторівПозначенняТранзісторі малої потужності (максимальна Потужність, что розсіюється транзистором НЕ более 0,3 Вт): · з граничною частотою коефіцієнта передачі Струму чі Максимальна робоча частота не більше 3 МГц1 · з граничною частотою коефіцієнта передачі Струму чі Максимальна робоча частотою понад 3 МГц, альо НЕ более 30 МГц2 · з граничною частотою коефіцієнта передачі Струму чі Максимальна робоча частотою понад 30 МГц3Транзісторі середньої потужності (максимальна Потужність, что розсіюється транзистором понад 0,3 Вт, но НЕ более 1,5 Вт): · з граничною частотою коефіцієнта передачі Струму чі Максимальна робоча частота не більше 3 МГц4 · з граничною частотою коефіцієнта передачі Струму чі Максимальна робоча частотою понад 3 МГц, альо НЕ перевіщує 30 МГц5 · з граничною частотою коефіцієнта передачі Струму чі Максимальна робоча частотою понад 30 МГц6Транзісторі Великої потужності (максимальна Потужність, что розсіюється транзистором понад 1,5 Вт): · з граничною частотою коефіцієнта передачі Струму чі Максимальна робоча частота не більше 3 МГц7 · з граничною частотою коефіцієнта передачі Струму чі Максимальна робоча частотою понад 3 МГц, альо НЕ перевіщує 30 МГц8 · з граничною частотою коефіцієнта передачі Струму чі Максимальна робоча частотою понад 30 МГц9
Площінні біполярні транзистори
У біполярніх транзисторах струм візначається рухом носіїв заряду двох тіпів: електронів и дірок (або Основними и неосновних). Звідсі їх назва - біполярні.
У Сейчас годину виготовляють и застосовуються Виключно транзистори з площіннімір-n-переходамі.Прістрій площинах біполярноготранзістора показано схематично на малюнку 1.2.
ВІН представляет собою платівку германію або кремнію, в Якій створені трьох області з різною електропровідністю. У транзистора типу n-р-n середня область має дірковій, а крайні області - Електрон електропровідність.
транзистори типу р-n-р мают Середнев область з електронною, а крайні області з дірковою електропровідністю.Середня область назівається базою транзистора, одна крайня область - емітером, Інша - колектором.Такім чином в транзісторі є дві р-n-переходь: емітерній - между емітером и базою та Колекторная - между базою и колекто...
