ЗМІСТ
Вступ
. Огляд аналогічніх ЗАСОБІВ проектування та технології виготовлення вироби
. Вибір та обґрунтування засобими проектування та технології виготовлення вироби
. Розрахунковим частина
3.1 Розрахунок діфузійніх резісторів
. 2 Розрахунок для визначення габаритних Розмірів мікросхеми
4. Технологічна частина
Висновок
Перелік використаної літератури
ВСТУП
Електроніка - галузь науки, яка вівчає взаємодію електронів та других зарядженості частин з електромагнітнімі полями в вакуумі, газовому середовіщі, твердому тілі, а такоже Всередині атомів, молекул, крісталічніх решіток.
практичність завданнями електроніки являються розробки: методів создания Електрон приладів, в якіх ЦІ взаємодії Використовують для превращение електромагнітної ЕНЕРГІЇ; наукових основ технології Виробництво електронно приладів.
Вироби мікроелектронікі: інтегральні (інтегровані) мікросхеми різніх ступенів інтеграції, мікрозбіркі, мікропроцесорі, Міні- та мікро-ЕОМ - дозволяють віконаті проектування та промислове виробництво функціонально-складної радіо- та обчіслювальної апаратури, что відрізняється від апаратури попередніх поколінь КРАЩА експлуатаційними параметрами, Меншем потребою ЕНЕРГІЇ та вартістю. Апаратура на базі виробів мікроелектронікі має Широке! Застосування у всех Галузо народного господарства та у всех Сфера діяльності людини.
Створення систем автоматичного проектування, промислових роботів, автоматизоване та автоматичних промислових ліній, ЗАСОБІВ зв язку, космічні дослідження, Проникнення в глибино океанів, Досягнення в діагностіці та лікування багатьох захворювань, покращення побуту та відпочинку людей.
Технологія інтегрованіх мікросхем досягла значний Успіхів. У наший годину вона має визначний роль у вдосконаленні почти всех Галузо народного господарства.
Електроніка пройшла декілька етапів розвитку, за годину якіх змінілось декілька поколінь елементної бази: дискретна електроніка електровакуумних приладів, дискретна електроніка напівпровідніковіх приладів, інтегрована електроніка функціональніх мікроелектронніх пріладiв. Елементна база Першого поколение з явилася в перший период Першої Світової Війни З першого електровакуумних приладами - електронними лампами, спочатку двох -, а потім трьохелектроднімі. У апаратурі Першого поколение активні та пасивні елементи, електрорадiо елементи (резистори, конденсатори, котушкі індуктівності, трансформатори та ін.) Механічно закріплювалісь на панелях та електрично з єднувалісь между собою проволоченімі провіднікамі пайків або зварки.
Складність технології електровакуумних приладів, невеликі рядків прідатності, значні габаритні розміри та маса, более споживання електроенергії стали стимулом для з'явилися інші поколение електроніки.
Елементна база іншого поколение з явилася у зв язку з винайдення Першого транзистора американском Вченіє Д. Бардінім, У. Братейном, У. Шоклі. Транзистор представляет собою германієвій кристал з двома крапковімі контактами металічніх пружинок на відстані одна від Іншого около 0,1 мм та з третім контактом більшої площади металічної поверхності.
Елементна база третього поколение (Мікроелектроніка) з явилася як результат вдосконалення напівпровіднікового виробництва. У 1959 году по мезодіфузійній технології булу Виготовлена ??перша германієва інтегрована мікросхема, а з 1 960 року по планарній технології розпочалі виготовляти кремнієві інтегральні мікросхеми.
Інтегральною мікросхемою назівають мікроелектронній Пристрій, Який має скроню щільність Розташування елементів та компонентів, Які є еквівалентнімі Елемент звічайної схеми. Ряд елементів мікросхеми нероздільно Виконання та електрично з єднаній между собою таким чином, что з точки зору технічних вимог, торгівлі та ЕКСПЛУАТАЦІЇ Пристрій розглядається як Одне ціле.
Елементна база четвертого поколение вінікла в результате поиска НОВИХ способів создания функціонально більш складних базових елементів. У функціональній мікроелектроніці носієм информации являється дінамічна неоднорідність. Така локальна неоднорідність представляет собою нерівність станів в Деяк протяжному однорідному середовіщі. У вироб функціональної мікроелектронікі Використовують взаємодію дінамічніх неоднорідностей между собою в сукупності з акустично, тепловими, Електрична та магнітними полями для ОБРОБКИ, генерації та Збереження информации.
основні базові елементами для создания Електронної апаратури в наш...
