годину являються інтегральні мікросхеми.
1. ОГЛЯД АНАЛОГІЧНІХ ЗАСОБІВ ПРОЕКТУВАННЯ ТА ТЕХНОЛОГІЇ ВИГОТОВЛЕННЯ ВИРОБИ
Напівпровіднікові ІМС - це мікросхема, елементи якої віконані в пріповерхньому шарі напівпровіднікової підкладкі. Підкладка - це монокрісталічна напівпровіднікова пластина, призначе для создания на ній плівок, гетероструктур и вирощування монокрісталічніх шарів
Переважно использование кремнію в напівпровідніковіх ІМС в порівнянні з германієм обумовлено можлівістю Розширення інтервалу робочих температур (до +125 ° С) i Отримання на поверхні кремнієвої пластини стійкою ізолюючої плівки двоокісу кремнію SiО 2. Ця плівка (тимчасово) служити захисна покритт ОКРЕМЕ ділянок кристалу при проведенні локальної дифузії домішок, така ж плівка оберігає готову схему від ЗОВНІШНІХ вплівів и служити підставою для плівковіх пасивних елементів и внутрісхемніх з'єднань.
Монокрісталічні зліткі кремнію, як и в других напівпровідніках отримуються звічайна путем крісталізації з розплаву методом Чохральського. Стрижень з затравки после Зіткнення з розплавом Повільно підіймають з одночаснімі Оберт. При цьом за затравки вітягується наростаючій та захолоняючій зліток.
Крісталографічна орієнтація злітку візначається крісталографічною орієнтацією затравки. Частіше других Використовують зліткі з поперечними розрізом розташованім в плоскості (111) чи (100). Типовий діаметр злітків натепер складає 80 мм, а максимальний может досягаті 120 мм та более. Довжина злітків может досягаті 1-1,5м, но звічайна вона в декілька разів Менша. Зліткі кремнію розрізають на много тонких пластин на якіх потім виготовляють інтегральні схеми та Інші прилади. Во время різки зліток міцно закріплюють, забезпечуючі перпендикулярному положенні відносно ріжучіх полотен чі дисків для того, щоб пластини малі потрібну крісталографічну орієнтацію. Поверхня пластин после різки зовсім НЕ рівна: розміри подряпін, віступів та ямок на много перевіщують розміри майбутніх елементів. Тому перед качаном основних технологічних операцій пластини багаторазове шліфують, а потім полірують. Ціль шліфовкі, крім відалення механічніх дефектів, Полягає в тому, щоб Забезпечити необхідну товщина пластини, якові Неможливо досягті во время різки, та паралельність площин. Шліфовку здійснюють на віростаючіх шліфованіх колах. Шліфуючімі агентами являються суспензії Із мікропоро шків, розмір зерен якіх обірають все меншими при шкірному ціклі шліфовкі.
После Закінчення шліфовкі на поверхні залішається механічно пошкодженій куля товщина в декілька Мікрон під Яким розташованій ще більш тонкий - фізично пошкодженій кулю. Останній характерних наявністю небаченіх пошкоджень крісталічної решітки та механічніх напруг вінікаючіх в процессе шліфовкі. Поліровка проводитися для відалення ціх пошкодженіх шарів та для пониження нерівностей поверхні до уровня характерного оптичні системам - соті частки мікрона. Окрім механічної, вікорістовується хімічна поліровка (травлення).
Важлива процесом в напівпровідніковій технології являється такоже очистка поверхні від забруднення органічнімі Речовини, особливо жирами. Очистку та знежирене проводять в органічніх Розчин при повіщеній температурі.
травленого, очищення та много других процесів супроводжуються відмівкою пластин в деіонізованій воде. Деіонізація проводитися в спеціальніх установках путем пропускання Попередньо дістільованої води через Гранульовані смоли, в якіх Завдяк хімічнім реакціям проходити в язання розчіненіх іонів. Степень деіонізації оцінюється по Пітом опору води.
Для нормальної роботи ІМС нужно, щоб елементи чі групи елементів були розміщені в електрично-ізольованих один від одної областях. ЦІ області повінні мати Такі електричної та Фізичні Властивості як: напряжение пробою ізоляції більша чем напряжение ІМС; малу паразитові ємкість, скроню теплопровідність, блізькість коефіцієнта термічного Розширення ізолюючої області до КРТ кремнію, скроню радіаційну стійкість, малу площу яка відводіться на ізоляцію.
Ізоляція помощью pn-переходів. Для формирование будь-которого елемента напівпровіднікової ІМС та создания ее конструкції звічайна достаточно три р-n-переходь та Чотири шари двох тіпів електропровідності. Ізоляція забезпечується р-n-переходом между підкладкою та Колекторная областями елементів ІМС. При подачі негативного потенціалу на підкладку ізолюючій Переход перемістіться у зворотнього напрямку і кармани n-типу, в якіх розташовані елементи ІМС, віявляються оточенімі з усіх сторон області р-типу та ізольованімі одна від Іншого зворотнього зміщенімі pn-переходами, Опір якіх по постійному Струму великий. Характеристики ізоляції могут погіршуватісь за рахунок паразитних ємкостей, особливо при работе на високих частотах та ...
