МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ
Томський Університет Систем Управління і радіоелектроніки
(ТУСУР)
Кафедра фізичної електроніки (ФЕ)
Технологія виготовлення інтегральної схеми ТТЛ
курсовий проект з дисципліни Процеси мікро- і нанотехнології
ФЕТ КР 314200.001 П3
Студент гр. 314 - 2
Бронніков С.М.
Керівник
Доцент кафедри ФЕ
канд. тех. наук
До. І. Смирнова
Міністерство загальної та професійної
освіти Російської Федерації
МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ УНІВЕРСИТЕТ СИСТЕМ
УПРАВЛІННЯ ТА РАДІОЕЛЕКТРОНІКИ
(ТУСУР)
Кафедра Фізичної Електроніки (ФЕ)
ЗАВДАННЯ
по курсовому проектування з дисципліни Процеси мікро- і нанотехнології
Студент Бронніков Сергій Михайлович
група 314-2 факультет електронної техніки
1. Тема проекту: Технологія виготовлення інтегральної схеми ТТЛ
2. Термін здачі студентом закінченого проекту ____________________
3. Вихідні дані до проекту:
1. Схема виготовлена ??за ізопланарной технології;
. Підкладка КДБ - 10 з прихованим шаром;
. Епітаксіальна плівка 3КЕФ - 0,1; x бк =2,2 мкм; ? s =180 Ом/?; x ЕБ =0,8 мкм; ? s =6 Ом
4. Зміст пояснювальної записки:
1. Аналіз схеми
2. Технологічний маршрут
3. Розрахунок режимів дифузії та епітаксії
4. Розрахунок профілів розподілу та процесу автолегірованія
5. Розрахунок точності виготовлення резисторів
5. Перелік графічного матеріалу:
1. Схема техпроцесу
2. Креслення комплекту ФШ
3. Розрахункові залежності
6. Дата видачі завдання: _________________________
Зміст
Введення
1.Аналіз схеми
1.1Техпроцесс виготовлення схеми
2.Расчет режимів дифузії
2.1Расчет режиму дифузії прихованого шару
2.2Расчёт режиму епітаксії
.3Расчет профілю автолегірованія
.4Расчет режимів базової дифузії
.5Расчет режимів емітерний дифузії
.6Уточненіе профілю розподілу домішки в емітерний області
3.Расчет точності виготовлення резисторів
Висновок
Список літератури
Введення
Розробка інтегральних мікросхем (ІМС) являє собою складний процес, що вимагає вирішення різноманітних науково-технічних проблем. Питання вибору конкретного технічного втілення ІМС вирішують з урахуванням особливостей розробляється схеми, можливостей і обмежень, властивих різним способам виготовлення, а також техніко-економічного обгрунтування доцільності масового виробництва. Ці питання вирішують головним чином шляхом використання двох класів мікросхем - напівпровідникових і гібридних. Обидва ці класу можуть мати різні варіанти структур, кожен з яких з точки зору проектування і виготовлення володіє певними перевагами і недоліками.
Напівпровідникові інтегральні мікросхеми - це монолітне пристрій, в якому всі елементи виготовлені на єдиній напівпровідникової підкладці і в єдиному технологічному циклі. Особливість технологічного процесу виробництва напівпровідникових інтегральних мікросхем полягає в тому, що одночасно з виготовленням транзисторних структур необхідно отримув...
