Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Курсовые обзорные » Технологія виготовлення плат напівпровідникових інтегральних мікросхем

Реферат Технологія виготовлення плат напівпровідникових інтегральних мікросхем





Зміст


Введення

1. аналітичний огляд

2. Технологічна частина

.1 Опис технологічного процесу

.2 Вибір класу виробничих приміщень

.3 Основні матеріали та реагенти

.4 Основні технологічні операції

.4.1 Очищення підкладки

.4.2 Термічне окислення

.4.3 Літографічні процеси

.4.4 Іонна імплантація

.4.5 Металізація

.4.6 Міжшарова ізоляція

3. інженерно - економічні розрахунки

Висновок

Список використаних джерел


Введення


Технологія інтегральних схем, розвиваючись виключно швидкими темпами, досягла немислимих успіхів. Електроніка пройшла кілька етапів розвитку, за час яких змінилося кілька поколінь елементної бази: дискретна електроніка електровакуумних приладів, інтегральна електроніка мікросхем (мікроелектроніка), інтегральна електроніка функціональних мікроелектронних пристроїв (функціональна мікроелектроніка). В даний час вона відіграє визначальну роль у вдосконаленні практично всіх галузях народного господарства (інтегральні схеми використовуються в комп'ютерах, системах автоматизованого проектування, промислових роботах, засобах зв'язку та ін.) p align="justify"> Застосовувані при виготовленні напівпровідникових інтегральних мікросхем (ІМС) технологічні процеси носять груповий характер, тобто одночасно виготовляється велика кількість ІМС. Багато технологічні операції дозволяють здійснити обробку до 200 пластин, що дозволяє одночасно виготовити понад мільйон електронних приладів. p align="justify"> Для реалізації великих можливостей планарною технології необхідно виконання чималого числа загальних вимог виробництва і певних технологічних умов, що забезпечують отримання зразків напівфабрикатів високої якості на всіх технологічних етапах. А це неможливо без застосування особливо чистих основних і допоміжних матеріалів, що виділяються в спеціальний клас В«для напівпровідникового виробництваВ», точного технологічного та контрольного устаткування, виробничих приміщень, що задовольняє таким високим вимогам технологічної гігієни, які не зустрічаються в яких інших галузях.

Метою даного проекту є вивчення сучасних технологічних прийомів у виробництві виробів твердотільної електроніки та розробка наскрізного технологічного процесу виготовлення МДП-транзистора з діодом Шотткі.

транзистор інтегральний схема


1. Аналітичний огляд


Польовий транзистор з ізольованим затвором - це польовий транзистор, затвор якого відокремлений в елек...


сторінка 1 з 15 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Технологічні процеси виготовлення мікросхем
  • Реферат на тему: Конструкторсько-технологічні розрахунки маршрутно-операційного технологічно ...
  • Реферат на тему: Основні технологічні процеси та операції при виробництві хліба
  • Реферат на тему: Класифікація інтегральних мікросхем, області застосування
  • Реферат на тему: Розробка інтегральних мікросхем