ЗМІСТ
Технічне завдання
Введення
. Розробка структурної схеми
. Розробка принципової схеми
. Розробка інтегральної мікросхеми
3.1 Вибір навісних елементів і розрахунок конфігурації плівкових елементів
. 2 Розрахунок амплітудно-частотної характеристики
Список літератури
ТЕХНІЧНЕ ЗАВДАННЯ
Розробити принципову схему і виконати розрахунок двухкаскадной схеми підсилювача низької частоти з використанням польового і біполярного транзисторів.
1.Напряжение джерела живлення.
.Коеффіціент посилення по напрузі.
.Входное опір.
.Сопротівленіе навантаження.
.Номінальное вихідна напруга.
.Ніжняя робоча частота.
.Верхняя робоча частота.
.Коеффіціент частотних спотворень на нижній робочій частоті.
.Коеффіціент частотних спотворень на верхній робочій частоті.
.типа входу - несиметричний.
.типа виходу - несиметричний.
Вихідні дані для варіанту 10 зведені в таблицю 1.
Таблиця 1
№ вар. , В, МОм, кОм, В, Гц, кГц, дБ, дБТіп входаТіп вихода10-1280.3322501011НН
ВСТУП
підсилювач частота транзистор плівковий
Курсове проектування є важливим етапом в освоєнні досліджуваного предмета, що дозволяє застосувати на практиці знання, отримані в процесі опрацювання лекційного курсу.
Проектування полягає в розробці і повному розрахунку електричної схеми гібридної інтегральної схеми (ГІС) - підсилювача електричних сигналів низької частоти (УНЧ).
Особливістю проектування ГІС-УНЧ є те, що неможливо отримати єдине однозначне рішення, необхідно досягти певного компромісу між висунутими вимогами, найчастіше досить суперечливими.
Сфери використання ГІС дуже різноманітні, широко застосовуються подібні мікросхеми в системах автоматичного управління, в обчислювальній техніці, вимірювальних приладах, пристроях голосового зв'язку. Застосування ГІС дозволяє знизити масо-габаритні показники апаратури, підвищити енергоефективність, надійність, знизити експлуатаційні витрати.
1. РОЗРОБКА СТРУКТУРНОЇ СХЕМИ
Рис.1. Структурна схема розроблювального пристрою
У загальному випадку технічним завданням відповідає Двокаскадні схема підсилювача з використанням польового і біполярного транзисторів.
Узагальнена структурна схема розроблювального пристрою складається з наступних блоків:
Вхідний вузол. Служить для узгодження між джерелом сигналу і першим каскадом підсилювача.
- Перший каскад. Служить для основного посилення і повинен володіти великим вхідним опором. Напруга джерела живлення, відповідно до завдання. Отже, вибираємо транзистор з каналом типу. Коефіцієнт передачі розраховується виходячи з коефіцієнтів передачі всіх інших каскадів.
Другий каскад. Повинен забезпечити мале вихідний опір розроблювального пристрою і достатню амплітуду вихідного сигналу. Виходячи з напруги живлення, біполярний транзистор повинен бути структури .
Вихідний вузол. Служить для узгодження другого каскаду з навантаженням. У розробляється пристрої для цього служать розділові конденсатори, які не дають пройти постійної складової в навантаження. Т.к. це розділові конденсатори, то вони визначають АЧХ в області нижніх частот.
Коефіцієнт частотних спотворень многокаскадного підсилювача дорівнює добутку коефіцієнтів частотних спотворень окремих каскадів:
(1)
Зазвичай коефіцієнт частотних спотворень висловлюють в децибелах
(2)
Згідно з завданням коефіцієнт частотних спотворень на нижній і верхній граничних частотах підсилювача і в даному випадку визначається виразом. Розподілимо спотворення порівну між двома каскадами:.
2. Розробка принципової схеми
Принципова схема підсилювача представлена ??на рис. 2.
Рис. 2. Принципова схема підсилювача з несиметричним входом і несиметричним виходом
З урахуванням комплексу вимог ТЗ до розробляється влаштуванню виберемо Двокаскадні схему з безпосереднім зв'язком між каскадами. Це дозволить зменшити кількість елементів і розширити смугу пропускання в області нижніх частот.
Перший каскад пропонується виконати на польовому транзисторі включеному...
