Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Курсовые проекты » Схемотехніка телекомунікаційних пристроїв

Реферат Схемотехніка телекомунікаційних пристроїв

















Курсова робота

Схемотехника телекомунікаційних пристроїв

Варіант 20


Зміст


Введення

. Основні параметри і характеристики

. Вибір режиму роботи транзистора

. Розрахунок малосигнальних параметрів

. Визначення параметрів схеми заміщення

. Розрахунок основних параметрів каскаду

. Оцінка нелінійних спотворень

. Вибір резисторів і конденсаторів

Список літератури

Введення


В даний час в побудові електронних пристроїв існує безліч підходів. Одне з основних завдань при проектуванні - використання по максимуму типових інтегральних мікросхем і функціональних елементів. Пристрої промислової електроніки, автоматики, телемеханіки та зв'язку, відносяться в основному до цифрових пристроїв. Збільшена продуктивність і надійність цих пристроїв обумовлені розвитком автоматизованих керуючих систем, що базуються на проектуванні цифрових пристроїв.

Мета курсової роботи полягає в закріпленні знань, отриманні досвіду розрахунку основних характеристик, розробки підсилюючих каскадів, у розвитку навичок інформаційного пошуку, користування довідковою літературою, а також отриманні різнобічного уявлення про електронні елементах.

У ході її виконання необхідно для заданого типу транзистора виписати паспортні параметри і статичні характеристики, у відповідності зі схемою включення і величинами елементів схеми підсилювального каскаду вибрати положення режиму спокою, для якого розрахувати величини елементів еквівалентних схем транзистора і малосигнальний параметри транзистора, графо-аналітичним методом визначити параметри підсилювального каскаду.

1. Основні параметри і характеристики


Тип транзістораКТ301Напряженіе джерела живлення, Eп9 ВСопротівленіе колекторної ланцюга, Rк1,3 кОмСопротівленіе навантаження, Rн1,8 кОм

КТ301 - кремнієвий транзистор, npn)


Малюнок 1 - цоколевка та позначення транзистора


ПріборПредельние параметриПараметри при T=25 ° CRТ п-с, ° C/Втпрі T=25 ° CIК, max мАIК і. max мАUКЕ0 max, ВUКБ0 max, ВUЕБ0 max, ВPК max, мВтT, ° CTп max, ° CTmax, ° Ch21ЕUКБ, ВIЕ, мАUКЕ нас, ВIКБ0, мкАfгр, МГцCК, пФCЕ, пФtрас, мксКТ301102020203150601208520 ... 60103310201080600

Схема включення транзистора наведена в додатку 1.

Дана схема за своїми стабілізуючим властивостям значно перевершує аналоги, але через додаткових втрат напруги на R е необхідно мати більш високу напругу джерела колекторного напруги Eк. Менша економічність схеми обумовлена ??також наявністю дільника напруги. Для забезпечення стабільного режиму по постійному струму і максимального посилення по змінному резистор R е шунтируется конденсатором Се, мають значну ємність.

Дільником напруги в ланцюзі бази R1R2, а також опором R е задається режим роботи транзистора по постійному струму. Опір R1R2 має бути достатньо низьким, щоб можливі зміни струму бази (наприклад, при зміні транзистора або зміні навколишньої температури) не приводили до істотної зміни напруги на базі транзистора. Більший струм дільника, забезпечує більш стабільну роботу по постійному струму, але зменшує вхідний опір каскаду, що тягне за собою збільшене споживання струму.

Посилений сигнал U вих з резистора RК через конденсатор Ср подається в навантаження. Конденсатор СК виключає вплив навантаження на режим роботи транзистора по постійному струму. Ємність СК вибирають такий, щоб його опір в смузі пропускання підсилювача було пренебрежимо мало в порівнянні з опором навантаження.


. Вибір режиму роботи транзистора


Для опису транзистора використовують вхідні і вихідні характеристики (малюнок 2). Вхідна характеристика - залежність вхідного струму від вхідної напруги при постійному вихідному напрузі. Вихідний статичною характеристикою називається залежність вихідного струму від напруги між вихідними електродами транзистора при постійному вхідному струмі.

Побудуємо на вихідних характеристиках навантажувальну пряму:

) при Ік=0 Uке=Eп=9 В

) при Uке=0


Приймаємо Rе=270 Ом.


Малюнок 2 - Характеристики транзистора КТ301


При виборі робочої точки транзистора керуються такими міркуваннями:

струм колектора ні за яких умов не повинен перевищувати максимально допустиме значення Iкmax (малюнок 2);

напруга колектор-емітер не повинно перевищувати максимально допустиме значення UКЕmax...


сторінка 1 з 3 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Методи збільшення коефіцієнта посилення по струму біполярного транзистора
  • Реферат на тему: Параметри біполярного транзистора
  • Реферат на тему: Параметри польового транзистора
  • Реферат на тему: Розрахунок параметрів кремнієвого інтегрального МДП-транзистора
  • Реферат на тему: Дослідження характеристик і параметрів біполярного транзистора