;
потужність, що розсіюється на колекторі транзистора, не повинна перевищувати максимально допустиме значення РКmax;
робоча точка транзистора не повинна знаходитися в режимі відсічення. На вихідних характеристиках кордоном активного режиму та режиму відсічення є вихідна характеристика транзистора при IБ=0;
робоча точка транзистора не повинна знаходитися в режимі насичення.
Кордон активного режиму та режиму насичення можна побудувати, з'єднавши лінією точки на вихідних характеристиках транзистора, в яких UБЕ=UКЕ або UКБ=0.
При заданій напрузі живлення Е і опорі RК параметри робочої точки IКрт і UКЕрт взаємопов'язані.
е + UКЕ + URк=E
де URе - напруга на резисторі R е
е=IЕRЕ? IКRЕ
к - напруга на резисторі RК
к=IКRК.КЕ=E - URе - URк=E - IЕ R е - IК RК? E - IК (RК + Rе).
Величини резисторів R1, R2 визначимо з наступних співвідношень:
е=IеRе? IкRе=
UR2=Uбео + URе=0,6 + 0,81=1,41 B
Струм дільника IД струм дільника вибираємо з наступної умови:
д=(3 ... 10) Iбо=10? 75? 10-6=0,75 мА
Приймаємо R1=10 кОм, R2=2,0 кОм.
. Розрахунок малосигнальних параметрів
За сімейства вхідних і вихідних характеристик графічним методом визначаємо h-параметри транзистора (h11, h12, h21, h22).
транзистор малосигнальний каскад конденсатор
Малюнок 3 - Визначення h-параметрів за характеристиками
h11е - вхідний опір, виміряний при короткому замиканні по змінному струмі на виході транзистора.
21е - коефіцієнт передачі по струму, вимірюваний при короткому замиканні на виході транзистора
22е - вихідна провідність, вимірювана при холостому ході на вході:
Коефіцієнт зворотного зв'язку по напрузі h12Е по приводиться в довідниках статичним характеристикам визначити неможливо. У малопотужних транзисторів коефіцієнт зворотного зв'язку по напрузі h12Е=(1? 10) 10-4.
. Визначення параметрів схеми заміщення
Для розрахунку фізичних величин скористаємося схемою заміщення транзистора представленої на малюнку 4.
Малюнок 4 - схема заміщення біполярного транзистора
Ємність колекторного переходу при напрузі UКБ=UКБ рт
UКБпас=10 В, СКпас=10 пФ
кб ??= 9 - 3- (3 + 0,075)=3,72 В
За розрахованими вторинним параметрами можна визначити первинні по наступних співвідношеннях:
; ;
Опір колекторного переходу можна розрахувати, підставляючи значення обчислених раніше вторинних параметрів:
.
Опір емітерного переходу:
.
Опір ланцюзі бази:
.
Вихідний опір транзистора:
Опір емітерного переходу для базового струму:
Дифузійна ємність емітерного переходу
Крутизна транзистора:
. Розрахунок основних параметрів каскаду
Опір навантаження по змінному струму для біполярного транзистора розраховується за формулою:
Для побудови навантажувальної прямої по змінному струму скористаємося двома точками:
);
) - точка РТ
Нагрузочная пряма по змінному струму наведена на малюнку 4 (пряма АВ).
Малюнок 4 - Побудова навантажувальної прямої по змінному струму
Коефіцієнт посилення по напрузі:
,
Коефіцієнт посилення по струму:
Коефіцієнт посилення по потужності визначимо за формулою:
Вхідний опір каскаду
Вихідний опір каскаду
. Оцінка нелінійних спотворень
Для оцінки нелінійних спотворень скористайтеся методом п'яти ординат, який називають також методом Клину. Метод п'яти ординат дозволяє наближено знайти амплітуди перших чотирьох гармонік вихідної коливання каскаду і відповідні коефіцієнти гармонік.
Для розрахунку необхідно на наскрізний характеристиці отримати п'ять рівновіддалених по осі напруг точок A, B, РТ, C і D, ординати яких iA, iB, IКрт, iC, iD, використовуються при розрахунку коефіцієнтів гармонік.
Для побудови наскрізної характеристики скористаємося малюнками 3,4.
Таблиця 1 - Точки для побудови наскрізної характеристики Ік (Uбе).
Uбе, В0,30,450,550,620,650,67Iк, мА0,112344,8
Малюнок 5 - Наскр...
