МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ
РОСТОВСЬКОЇ ОБЛАСТІ
ДЕРЖАВНЕ Освітніх закладах СЕРЕДНЬОГО ОСВІТИ В«Новочеркаск МЕХАНІКО_ТЕХНОЛОГІЧЕСКІЙ КОЛЕДЖ ІМ.А.Д. ЦЮРУПИ В»
РЕФЕРАТ
на тему:
В«ІСТОРІЯ ВИНАХОДИ ТРАНЗИСТОРА В»
2009р.
ЗМІСТ
Введення
1. Історія винаходу транзистора
2. Перший транзистор
3. Створення біполярного транзистора
4. В«Холодна війна В»та її вплив на електроніку
5. Перші радянські транзистори
6. Польові транзистори
7. Область застосування транзистора
ВСТУП
Важко знайти таку галузь науки і техніки, яка так само стрімко розвивалася і справила таке-ж величезний вплив на всі сторони життєдіяльності людини, кожного окремого і суспільства в цілому, як електроніка. Як самостійний напрям науки і техніки електроніка сформувалася завдяки електронній лампі. Спочатку з'явилися радіозв'язок, радіомовлення, радіолокація, телебачення, потім електронні системи управління, обчислювальна техніка тощо Але електронна лампа має непереборні недоліки: великі габарити, високе енергоспоживання, великий час входження в робочий режим, низьку надійність. У результаті через 2-3 десятки років існування лампова електроніка в багатьох застосуваннях підійшла до межі своїх можливостей. Електронній лампі була потрібна більш компактна, економічна і надійна заміна. І вона знайшлася у вигляді напівпровідникового транзистора. Його створення справедливо вважають одним з найбільших досягнень науково-технічної думки двадцятого сторіччя, докорінно змінив світ. Воно було відзначено Нобелівською премією з фізики, присудженої в 1956 р. американцям Джону Бардіну, Уолтеру Браттейн і Вільяму Шоклі. Але у нобелівської трійки в різних країнах були попередники. І це зрозуміло. Поява транзисторів - результат багаторічної роботи багатьох видатних вчених і фахівців, які в перебігу попередніх десятиліть розвивали науку про напівпровідниках. Радянські вчені внесли в це спільна справа величезний внесок. Дуже багато було зроблено школою фізики напівпровідників академіка А.Ф. Іоффе - піонера світових досліджень з фізиці напівпровідників. Ще в 1931 році він опублікував статтю з пророчим назвою: В«Напівпровідники - нові матеріали електронікиВ». Чималу заслугу в дослідження напівпровідників внесли Б.В. Курчатов і В.П. Жузе. У своїй роботі - В«До питання про електропровідності закису мідіВ» в 1932 році вони показали, що величина і тип електричної провідності визначається концентрацією і природою домішки. Радянський фізик Я.М. Френкель створив теорію збудження в напівпровідниках парних носіїв заряду: електронів і дірок. У 1931 р. англійцю Вілсону вдалося створити т еоретіческую модель напівпровідника, сформулювавши при цьому основи В«зонної теорії напівпровідниківВ». У 1938 р. Мотт в Англії, Б.Давидов в СРСР, Вальтер Шоттки в Німеччині незалежно один від одного запропонували теорію випрямляючого дії контакту метал-напівпровідник. У 1939 році Б.Давидов опублікував роботу В«Дифузійна теорія випрямлення в напівпровідниках В». У 1941 р. В.Є.Лашкарьов опублікував статтю В«Дослідження замикаючих шарів методом термозонда В»і в співавторстві з К. М. Косоноговою - статтю В«Вплив домішок на вентильний фотоефект у закису мідіВ». Він описав фізику В«запірного шаруВ» на межі розділу В«мідь - закис мідіВ», згодом названого В«p-nВ» переходом. У 1946 р. В. Лошкарев відкрив біполярну дифузію нерівноважних носіїв струму в напівпровідниках. Їм же був розкритий механізм інжекції - найважливішого явища, на основі якого діють напівпровідникові діоди і транзистори. Великий внесок у дослідження властивостей напівпровідників внесли И.В.Курчатов, Ю.М.Кушнір, Л.Д.Ландау, В.М.Тучкевіча, Ж.І.Алферов та ін Таким чином, до кінця сорокових років двадцятого століття основи теоретичної бази для створення транзисторів були опрацьовані досить глибоко, щоб приступати до практичних робіт.
1. ІСТОРІЯ ВИНАХОДИ ТРАНЗИСТОРА
Першою відомою спробою створення кристалічного підсилювача в США зробив німецький фізик Юліус Лилиенфельд, що запатентував в 1930, 1932 і 1933 рр.. три варіанти підсилювача на основі сульфіду міді. У 1935 р. німецький у чений Оскар Хейл отримав британський патент на підсилювач на основі пятиокиси ванадію. У 1938 р. німецький фізик Поль створив діючий зразок кристалічного підсилювача на нагрітому кристалі броміду калію. У довоєнні роки в Німеччині та Англії було видано ще кілька аналогічних патентів. Ці підсилювачі можна вважати прообразом сучасних польових транзисторів. Однак побудувати стійко працюючі прилади не вдавалося, тому що в той час ще не було достатньо чистих матеріалів та технологій їх обробки. У першій половині тридцятих років точкові тріоди виготовили двоє радіоаматорів - канадець Ларрі Кайзер і тринадцятирічний новозе...
