Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Новые рефераты » Дослідження режимів біполярного транзистора

Реферат Дослідження режимів біполярного транзистора





Федеральне агентство з освіти

Державна освітня установа вищої професійної освіти

Томському політехнічному УНІВЕРСИТЕТ

Інститут - Кібернетики

Напрям - 230100 Інформатика та обчислювальна техніка

Кафедра - Оптимізації систем управління






Дослідження режимів біполярного транзистора

по курсу Електроніка















Томськ +2010

Мета роботи

- отримання практичних навичок схемного введення біполярного транзистора в заданий режим спокою;

- визначення основних властивостей транзистора в усилительном і ключових режимах;

оволодіння методикою роботи в навчальній лабораторії в програмно-апаратної середовищі NI ELVIS.

Завдання роботи:

зняття вольтамперної характеристики (ВАХ) біполярного транзистора VT1, використовуючи аналізатор (Three-wire Current-Voltage Analyzers) і збереження даних для звіту;

набуття навичок дослідження режимів роботи транзистора із залученням регульованого джерела живлення (Variable Power Supplies), цифрового мультиметра (Digital Multimeter - DMM), функціонального генератора (FGEN) і осцилографа (Scope);

- обробка отриманих експериментальних даних, підготовка та захист звіту.

Хід роботи:

Отримання ВАХ біполярного транзистора

Зняття вихідних ВАХ біполярного транзистора VT1

Зібрали наступну схему:


Рис. 1. Схема експерименту для зняття вихідних ВАХ транзистора в програмно-апаратної середовищі NI ELVIS

У меню запуску інструментів NI ELVIS вибрали функцію Three-wire Current Voltage Analyzer (трехпроводной вольтамперної аналізатор).


Рис. 2. Вихідні ВАХ біполярного транзистора


Рис. 3. Зняття вхідних ВАХ біполярного транзистора

Рис. 4. Схеми для зняття вхідних ВАХ транзистора в програмно-апаратної середовищі NI ELVIS: а) Uке=0V; б) Uке=+ 5V


У меню запуску інструментів NI ELVIS вибрали функцію Two-wire Current Voltage Analyzer (двухпроводной вольтамперної аналізатор).



При Uке=0 графік Ваха транзистора мало відрізняється від графіка Ваха кремнієвого точкового діода - в цьому випадку транзистор поводиться як звичайний діод. При збільшенні Uке графік ВАХ стає більш крутий і зміщується вправо.

Рис.7. Вахи біполярного транзистора при U КЕ=0 (червона) і 5 (синя) У


Дослідження підсилювального режиму транзистора

Регулювання координат робочої точки спокою.

Зібрали схему експерименту (рис. 8):


Рис. 8. Схема експерименту для вимірювання координат робочих точок транзистора


Викликали з меню NI ELVIS регульований джерело живлення (VPS), цифровий мультиметр (DMM) в режимі вимірювання напруги постійного струму (V =) і осцилограф (Scope) при відкритому його вході.

На графіку залежність - пряма. Тому побудували навантажувальну пряму по двох точках, що характеризує режими холостого ходу і короткого замикання.

Для режиму короткого замикання:,

Для режиму холостого ходу:,

Отримана навантажувальна пряма по постійному струму показана на вихідних ВАХ транзистора (рис. 3).

Зробили розрахунок орієнтовних значень Supply + для трьох робочих точок з координатами UКЕ1=2 В, UКЕ2=5 В, UКЕ3=7 В, використовуючи наближену формулу:.



На віртуальній панелі джерела VPS змінили значення Supply + до отримання значень U КЕ1=2 В, U КЕ2=5 В, U КЕ3=7В.


U КЕ=2 В при Supply +=8.6 В КЕ=5 В при Supply +=5 В КЕ=7 В при Supply +=2.6 В


Зміни напруги Supply + ведуть до зміни координат робочої точки. При цьому нові координати робочої точки знаходяться на навантажувальної прямої.

задані координати робочої точки транзистора при U КЕ2=5 В, I к=2.7 мкА, отриманої з попереднього пункту, і визначили в околицях цієї точки значення h-параметрів транзистора, виконавши побудови як показано на рис. 9.


Рис. 9. Графічні побудови для визначення h-параметрів


Параметр h 11Е схеми з ОЕ на сімействі вхідних характеристик в робочій точці А відповідн...


сторінка 1 з 3 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Дослідження характеристик і параметрів біполярного транзистора
  • Реферат на тему: Принцип Дії и режими роботи біполярного транзистора
  • Реферат на тему: Дослідження біполярного транзистора МП-40А
  • Реферат на тему: Дослідження біполярного транзистора
  • Реферат на тему: Комп'ютерне моделювання та дослідження біполярного транзистора