1. ВСТУП
2. ВИХІДНІ ДАНІ ДЛЯ РОЗРАХУНКІВ
3. РОЗРАХУНОК некорректірованного КАСКАДУ із загальним витоком
4. РОЗРАХУНОК КАСКАДУ З Високочастотний Індуктивним КОРЕКЦІЄЮ
5. РОЗРАХУНОК КАСКАДУ З істокового КОРЕКЦІЄЮ
6. РОЗРАХУНОК вхідний коректує ЦЕПИ
7. РОЗРАХУНОК ВИХІДНИЙ Коректує ланцюга
8. РОЗРАХУНОК Дисипативна Межкаскадная коригуюча ЦЕПИ ДРУГОГО ПОРЯДКУ
9. РОЗРАХУНОК Дисипативна Межкаскадной коректує ланцюга четвертого порядку
ЛІТЕРАТУРА
Розрахунок коригувальних ланцюгів ШИРОКОСМУГОВИХ ПІДСИЛЮЮЧИХ КАСКАДІВ на польових транзисторах
Мета роботи - отримання закінчених аналітичних виразів для розрахунку коефіцієнта посилення, смуги пропускання і значень елементів коригувальних ланцюгів найбільш відомих і ефективних схемних рішень побудови підсилювальних каскадів на польових транзисторах (ПТ). Основні результати роботи - висновок і подання в зручному для проектування вигляді розрахункових співвідношень для підсилювальних каскадів з простою індуктивного і істокового корекціями, з чотирьохполюсного дисипативними Межкаскадная коригуюча ланцюгами другого і четвертого порядків, для вхідний і вихідний коригувальних ланцюгів. Для підсилювального каскаду з межкаскадной коректує ланцюгом четвертого порядку наведена методика розрахунку, що дозволяє реалізувати заданий нахил його амплітудно-частотної характеристики з заданою точністю. Для всіх схемних рішень побудови підсилювальних каскадів на ПТ наведені приклади розрахунку.
1 ВСТУП
Розрахунок елементів високочастотної корекції є невід'ємною частиною процесу проектування підсилюючих пристроїв. У відомій літературі матеріал, присвячений цій проблемі, не завжди представлений у зручному для проектування вигляді. У цьому зв'язку в статті зібрані найбільш відомі та ефективні схемні рішення побудови широкосмугових підсилюючих пристроїв на ПТ, а співвідношення для розрахунку коефіцієнта посилення, смуги пропускання і значень елементів коригувальних ланцюгів дано без висновків. Посилання на літературу дозволяють знайти, при необхідності, докази справедливості наведених співвідношень.
Особливо слід відзначити, що в довідковій літературі з вітчизняним ПТ [1, 2] не наводяться значення елементів еквівалентної схеми заміщення ПТ Тому при розрахунках слід користуватися параметрами зарубіжних аналогів [2, 3] або здійснювати проектування на закордонній елементній базі [3].
2 ВИХІДНІ ДАНІ ДЛЯ РОЗРАХУНКІВ
Відповідно до [4, 5, 6], пропоновані нижче співвідношення для розрахунку підсилювальних каскадів на ПТ засновані на використанні еквівалентної схеми заміщення транзистора, наведеної на малюнку 2.1, а, і отриманої на її основі односпрямованої моделі, наведеної на малюнку 2.1, б. br/> В
В
а)
б)
Малюнок 2.1
Тут З ЗІ - ємність затвор-результат, З ЗС - ємність затвор-стік, З СІ - ємність сток-витік, R ВИХІД - опір стік-витік, S - крутизна ПТ, З ВХ =. C ЗІ + С ЗС (1 + SR Е ), R Е = R ВИХІД R Н /(R < sub> ВИХІД + R Н ), R Н - опір навантаження каскаду на ПТ, C ВИХІД = С СІ + С ЗС .
В
3 РОЗРАХУНОК некорректірованного КАСКАДУ із загальним витоком
3.1 крайовий КАСКАД
Принципова схема некорректірованного підсилювального каскаду наведена на малюнку 3.1, а, еквівалентна схема по змінному струму - на малюнку 3.1, б.
В
В
а)
б)
Малюнок 3.1
Відповідно до [6], коефіцієнт підсилення каскаду в області верхніх частот можна описати виразом:
, (3.1)
деВ ; (3.2)
; (3.3)
; (3.4)
; (3.5)
; - поточна кругова частота.
При заданому рівні частотних спотворень
(3.6)
верхня частота f В смуги пропускання каскаду дорівнює:
, (3.7)
де.
Вхідна опір каскаду на ПТ, без урахування ланцюгів зсуву, визначається вхідний місткістю:
. (3.8)
Приклад 3.1. Розрахувати f B , R C , C ВХ каскаду, наведеного на малюнку 3.1, при використанні транзистора КП907Б (С ЗІ = 20 пФ; З ЗС = 5 пФ; З СІ = 12 пФ; R ВИХІД = 150 Ом; S = 200 мА/В [7]) і умов: R Н ...
