Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Контрольные работы » Розрахунок провідників по постійному струму

Реферат Розрахунок провідників по постійному струму





Зміст


Завдання 1

Завдання 2

Завдання 3

Завдання 4

Завдання 1


На рис. 1.1 представлено розподіл зарядів у напівпровідниках при плавному і різкій зміні типу провідності. br/>В 

Малюнок 1.1 - Розподіл домішки і носіїв заряду в напівпровіднику при зміні типу провідності: (а) плавне зміна типу провідності; (б) різка зміна типу провідності


При плавній зміні типу провідності (рис. 1.1.а) градієнт концентрації результуючої домішки малий, відповідно малі і дифузійні струми електронів і дірок.

Ці струми компенсуються дрейфово струмами, які викликані електричним полем, пов'язаним з порушенням умов електричної нейтральності

+ Na = p + Nd, (1.1.1)


де n і p - концентрація електронів і дірок у напівпровіднику:, Nd - концентрація іонів акцепторної і донорної домішок.

Для компенсації дифузійних струмів досить незначного порушення нейтральності, і умова (1.1.1) можна вважати приблизно виконаним.

Умова електронейтральності свідчить про те, що в однорідному напівпровіднику незалежно від характеру і швидкості утворення носіїв заряду в умовах як рівноважної, так і не рівноважної концентрації не можуть мати місце суттєві об'ємні заряди протягом часу, більшого (3-5)?? (??? 10-12 с), за винятком ділянок малої протяжності:


,


де?? - Час діелектричної релаксації;? 0 - діелектрична стала повітря;? - Відносна діелектрична проникність напівпровідника; q - заряд носія заряду (електрона); n0, p0 - рівноважні концентрації електронів і дірок у напівпровіднику;? N,? P - рухливість електронів і дірок у напівпровіднику. p> При різкому зміна типу провідності (рис. 1.1.б) дифузійні струми великі, і для їх компенсації необхідно істотне порушення електронейтральності (1.1.1). p> Зміна потенціалу по глибині x напівпровідника відбувається за експоненціальним законом:. Глибина проникнення електричного поля в напівпровідник, Ld, називається дебаєвської завдовжки і визначається з рівняння:


В 

де - температурний потенціал.

При цьому електрична нейтральність істотно порушується, якщо на дебаєвської довжині зміну результуючої концентрації домішки велике. p> Таким чином, нейтральність порушується за умови:


(1.1.2)


У стані термодинамічної рівноваги за відсутності виродження справедливий закон діючих мас:

(1.1.3)

за умови (1.1.3) права частина (1.1.2) досягає мінімуму при, тому умова існування переходу (умова істотного порушення нейтральності) має вигляд:


(1.1.4)


де дебаєвсьного довжина у власному напівпровіднику.

Переходи, в яких зміна концентрації домішки на границі шарів p-і n-типу можуть вважатися стрибкоподібними називаються ступінчастими.

У плавних переходах градієнт концентрації...


сторінка 1 з 9 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Розрахунок і вибір бурових кареток типу БК-5дв і вантажно-постачальних маши ...
  • Реферат на тему: Зміна рівня рідини в резервуарі при миттєвому зміні величини вхідного поток ...
  • Реферат на тему: Теорії провідності металів Друде і Зоммерфельда
  • Реферат на тему: Матеріали вісокої провідності. Сплави та неметалеві провідники
  • Реферат на тему: Розрахунок підсілювача потужності на транзисторах різної провідності и мікр ...