Зміст
1.Заданіе
2.Краткая теоретичні відомості
. Розрахунки
Висновок
Література
1. Завдання
Оптимізувати процес напилення матеріалу в магнетронній системі розпилення: визначити відстань від поверхні мішені, на якому можна отримати задану товщину напиляемой плівки з необхідною нерівномірністю при максимально можливій швидкості напилення.
Таблиця 1. Варіант завдання
№ варіантаМатеріалТолщіна плівки, мкмДіаметр пластини, ммНеравно-мірність, В± % Радіус розпилення, смТок розряду, А4Cu0, 310036 , 57
Примітка: 1. Робочий газ - Ar. p align="justify"> 2. Ширина кільця розпилення - 0.5 см.
2. Короткі теоретичні відомості
магнетронний розпорошення іонний випарник
Який ефект лежить в основі магнетронного розпилення матеріалів?
Метод магнетронного розпилення матеріалів є різновидом іонно-плазмового розпилення. Розпилення матеріалу в цих системах відбувається за рахунок бомбардування поверхні мішені іонами робочого газу. Швидкість розпилення в магнетронній системі в 50 Вј 100 разів вище в порівнянні із звичайним іонно-плазмовим розпиленням. Висока швидкість розпилення матеріалу в магнетронній системі розпилення визначається високою щільністю іонного струму на мішень. Висока щільність іонного струму досягається за рахунок локалізації плазми у поверхні мішені за допомогою сильного поперечного магнітного поля.
З яких основних елементів складається магнетрон система розпилення?
В
Рис. 1. Схема магнетронній системи розпилення:
- мішень; 2 - магнітна система; 3 - зона розпилення; 4 - магнітні силові лінії, 5 - потік розпилюючи речовину; 6 - підкладка; 7 - подложкодержатель.
Схема магнетронній системи розпилення показана на малюнку 1. Основними елементами системи є мішень 1 і магнітна система 2. Магнітні силові лінії 4 замкнуті між полюсами магнітної системи. Між мішенню 1 і подложкодержателем 7 прикладається електричне поле і збуджується аномальний тліючий розряд. p align="justify"> Від чого залежить швидкість розпилення матеріалу при іонному бомбардуванні?
Замкнутий магнітне поле біля поверхні мішені локалізує розряд поблизу цієї поверхні. Позитивні іони з плазми аномального тліючого розряду прискорюються електричним полем і бомбардують мішень (катод). Під дією іонного бомбардування відбувається розпорошення мішені. Електрони, емітовані з катода під дією іонного бомбардування, потрапляють в область схрещених електричного і магнітного п...
